Вплив режимів халькогенідної обробки на проходження струмів у p-n переходах на основі арсеніду галію
Вантажиться...
Дата
2024
Автори
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Зменшення розмірів напівпровідникових приладів призводить до збільшення впливу поверхні на їхні характеристики. Сучасні методи обробки поверхні складаються з двох різних технологічних операцій. При травленні з поверхні видаляють оксидний шар, а потім наносять захисне покриття. Халькогенідна обробка ці процеси поєднує в один технологічний цикл. Після халькогенідної обробки поверхні повністю або часткове видаляються поверхневі оксиди, відбувається реконструкція поверхні та утворюється пасивуючий шар сполук галію з халькогеном. Внаслідок халькогенідної обробки змінюється щільність поверхневих станів. Це призводить до покращення характеристик напівпровідникових приладів. Однак систематичні дослідження дії халькогенідної пасивації, проведені для різних розчинників, їх концентрацій, різних тривалостях обробки досі відсутні.
Опис
Ключові слова
104 фізика та астрономія, магістр, халькогенідне пасивуюче покриття, халькогенідна обробка, поверхня, структура діодів
Бібліографічний опис
Шершньов, І. І. Вплив режимів халькогенідної обробки на проходження струмів у p-n переходах на основі арсеніду галію = The influence of chalcogenide treatment modes on the current flow of gallium arsenide p-n junctions : кваліфікаційна робота магістра / І. І. Шершньов. – Одеса, 2024. – 30 с.