Вплив режимів халькогенідної обробки на проходження струмів у p-n переходах на основі арсеніду галію

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorШершньов, Ігор Ігорович
dc.date.accessioned2025-04-15T08:07:40Z
dc.date.available2025-04-15T08:07:40Z
dc.date.issued2024
dc.description.abstractЗменшення розмірів напівпровідникових приладів призводить до збільшення впливу поверхні на їхні характеристики. Сучасні методи обробки поверхні складаються з двох різних технологічних операцій. При травленні з поверхні видаляють оксидний шар, а потім наносять захисне покриття. Халькогенідна обробка ці процеси поєднує в один технологічний цикл. Після халькогенідної обробки поверхні повністю або часткове видаляються поверхневі оксиди, відбувається реконструкція поверхні та утворюється пасивуючий шар сполук галію з халькогеном. Внаслідок халькогенідної обробки змінюється щільність поверхневих станів. Це призводить до покращення характеристик напівпровідникових приладів. Однак систематичні дослідження дії халькогенідної пасивації, проведені для різних розчинників, їх концентрацій, різних тривалостях обробки досі відсутні.
dc.identifier.citationШершньов, І. І. Вплив режимів халькогенідної обробки на проходження струмів у p-n переходах на основі арсеніду галію = The influence of chalcogenide treatment modes on the current flow of gallium arsenide p-n junctions : кваліфікаційна робота магістра / І. І. Шершньов. – Одеса, 2024. – 30 с.
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/41023
dc.language.isouk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечникова
dc.subject104 фізика та астрономія
dc.subjectмагістр
dc.subjectхалькогенідне пасивуюче покриття
dc.subjectхалькогенідна обробка
dc.subjectповерхня
dc.subjectструктура діодів
dc.titleВплив режимів халькогенідної обробки на проходження струмів у p-n переходах на основі арсеніду галію
dc.title.alternativeThe influence of chalcogenide treatment modes on the current flow of gallium arsenide p-n junctions
dc.typeDiplomas
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
104_Шершньов.pdf
Розмір:
2.33 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Магістри МФІТ