СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ТИПИЧНЫХ ФОТОМАТЕРИАЛОВ И ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБорщак, Віталій Анатолійович
dc.contributor.authorБалабан, Андрій Петрович
dc.contributor.authorБорщак, Виталий Анатольевич
dc.contributor.authorБалабан, Андрей Петрович
dc.contributor.authorBorshchak, Vitalii A.
dc.contributor.authorBalaban, Andrii P.
dc.date.accessioned2010-09-08T08:56:12Z
dc.date.available2010-09-08T08:56:12Z
dc.date.issued2008
dc.descriptionСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - 2008.uk
dc.description.abstractПроведено исследование фотоэлектрических характеристик элементов памяти на основе неидеального гетероперехода. Применение понятий сенситометрии к твердотельным элементам памяти позволило получить универсальное выражение для характеристической кривой сенсора, которое хорошо согласуется с экспериментальными данными и может быть использовано при исследовании сенситометрических характеристик подобных приборов. Сделан вывод о том, что сенсор на основе неидеального гетероперехода можно охарактеризовать с помощью классических сенситометрических характеристик, разработанных для фотографических материалов. Проведено дослідження фотоелектричних характеристик елементів пам’яті на основі неідеального гетеропереходу. Застосування понять сенситометрії до твердотільних елемент ів пам’яті дозволило одержати універсальний вираз для характеристичної кривої сенсора, який добре погоджується з експериментальними даними і може бути використаний при дослідженні сенситометричних характеристик подібних приладів. Зроблено висновок, що сенсор на основі неідеального гетеропереходу можна охарактеризувати за допомогою класичних сенситометричних характеристик, які розроблені для фотографічних матеріалів. The memory elements on the basis of nonideal heterojunction photoelectric characteristics have been researched. The sensitometry concepts application to the solid-state memory elements has allowed receiving universal expression for a sensor characteristic curve which coordinate well with the experimental data and can be used at similar devices sensitometric characteristics research. The conclusion that the sensor on the basis of nonideal heterojunction can be characterized with the help of classical sensitometric characteristics developed for photographic materials is made.uk
dc.identifier.citationSensor Electronics and Microsystem Technologiesuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/219
dc.language.isoenuk
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;№ 1. - Р. 44- 48.
dc.subjectгетеропереходuk
dc.subjectсенситометрияuk
dc.subjectэлемент памятиuk
dc.subjectсенсор изображенияuk
dc.subjectфотоматериалыuk
dc.subjectгетероперехідuk
dc.subjectсенситометріяuk
dc.subjectелемент пам'ятіuk
dc.subjectсенсор зображенняuk
dc.subjectфотоматеріалиuk
dc.subjectheterojunctionuk
dc.subjectsensitometryuk
dc.subjectmemory elementuk
dc.subjectimage sensoruk
dc.subjectphotographic materialsuk
dc.titleСРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ТИПИЧНЫХ ФОТОМАТЕРИАЛОВ И ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИuk
dc.title.alternativeПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ХАРАКТЕРИСТИК І ПАРАМЕТРІВ ТИПОВИХ ФОТОМАТЕРІАЛІВ І ТВЕРДОТІЛЬНОГО ЕЛЕМЕНТУ ПАМ’ЯТІuk
dc.title.alternativeTHE TYPICAL PHOTOGRAPHIC MATERIALS AND THE SOLID-STATE MEMORY ELEMENT CHARACTERISTICS AND PARAMETERS COMPARATIVE ANALYSISuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
sens1_08_44-48.pdf.pdf
Розмір:
202.24 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології