Вплив довготривалої сульфідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі арсеніду галію

dc.contributor.authorЄрьомін, Олексій Володимирович
dc.date.accessioned2023-06-09T09:41:28Z
dc.date.available2023-06-09T09:41:28Z
dc.date.issued2022
dc.description.abstractМініатюризація напівпровідникових пристроїв збільшує вплив поверхневих явищ на їхні характеристики та деградаційну стійкість, що особливо відчутно для напівпровідників групи АІІІВV, таких як GaAs. Через це виникає необхідність усунення дефектів та оксидів з поверхні та її захисту від впливу зовнішніх чинників. Сульфідна обробка поверхні є одним із методів, який дозволяє в одному технологічному циклі виконати обидві операції. Сульфідна обробка має і інші переваги, зокрема, спостерігалося покращення характеристик p–n та МДН структур, сонячних елементів та напівпровідникових лазерів. Проте немає систематичних досліджень, які були б присвячені впливу різної тривалості обробки з сульфідних розчинів на зміну характеристик напівпровідникових приладів. Мета даної роботи — дослідити механізми впливу сульфідної обробки поверхні з різною тривалістю на спектри фотоструму p–n переходів на основі GaAs і пояснити спостережувані відмінності.uk_UA
dc.identifier.citationЄрьомін, О. В. Вплив довготривалої сульфідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі арсеніду галію / О. В. Єрьомін. – Одеса, 2022. – 41 с.uk_UA
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/35448
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherОдеський національний університет ім. І. І. Мечниковаuk_UA
dc.subject105 прикладна фізика та наноматеріалиuk_UA
dc.subjectсульфідна обробкаuk_UA
dc.subjectарсенід галіюuk_UA
dc.subjectнапівпровідникові приладиuk_UA
dc.subjectдіодиuk_UA
dc.titleВплив довготривалої сульфідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі арсеніду галіюuk_UA
dc.title.alternativeEffect of long sulphide treatment on the photocurrent spectra of gallium arsenide p-n junctionsuk_UA
dc.typeDiplomasuk_UA
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
105_Yeryomin_Oleksiy_Volodymyrovych1.pdf
Розмір:
432.5 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: