Вплив довготривалої сульфідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі арсеніду галію
dc.contributor.author | Єрьомін, Олексій Володимирович | |
dc.date.accessioned | 2023-06-09T09:41:28Z | |
dc.date.available | 2023-06-09T09:41:28Z | |
dc.date.issued | 2022 | |
dc.description.abstract | Мініатюризація напівпровідникових пристроїв збільшує вплив поверхневих явищ на їхні характеристики та деградаційну стійкість, що особливо відчутно для напівпровідників групи АІІІВV, таких як GaAs. Через це виникає необхідність усунення дефектів та оксидів з поверхні та її захисту від впливу зовнішніх чинників. Сульфідна обробка поверхні є одним із методів, який дозволяє в одному технологічному циклі виконати обидві операції. Сульфідна обробка має і інші переваги, зокрема, спостерігалося покращення характеристик p–n та МДН структур, сонячних елементів та напівпровідникових лазерів. Проте немає систематичних досліджень, які були б присвячені впливу різної тривалості обробки з сульфідних розчинів на зміну характеристик напівпровідникових приладів. Мета даної роботи — дослідити механізми впливу сульфідної обробки поверхні з різною тривалістю на спектри фотоструму p–n переходів на основі GaAs і пояснити спостережувані відмінності. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Єрьомін, О. В. Вплив довготривалої сульфідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі арсеніду галію / О. В. Єрьомін. – Одеса, 2022. – 41 с. | uk_UA |
dc.identifier.uri | https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/35448 | |
dc.language.iso | uk | uk_UA |
dc.publisher | Одеський національний університет ім. І. І. Мечникова | uk_UA |
dc.subject | 105 прикладна фізика та наноматеріали | uk_UA |
dc.subject | сульфідна обробка | uk_UA |
dc.subject | арсенід галію | uk_UA |
dc.subject | напівпровідникові прилади | uk_UA |
dc.subject | діоди | uk_UA |
dc.title | Вплив довготривалої сульфідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі арсеніду галію | uk_UA |
dc.title.alternative | Effect of long sulphide treatment on the photocurrent spectra of gallium arsenide p-n junctions | uk_UA |
dc.type | Diplomas | uk_UA |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- 105_Yeryomin_Oleksiy_Volodymyrovych1.pdf
- Розмір:
- 432.5 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 1.71 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: