Вплив довготривалої сульфідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі арсеніду галію
Вантажиться...
Дата
2022
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет ім. І. І. Мечникова
Анотація
Мініатюризація напівпровідникових пристроїв збільшує вплив
поверхневих явищ на їхні характеристики та деградаційну стійкість, що
особливо відчутно для напівпровідників групи АІІІВV, таких як GaAs. Через
це виникає необхідність усунення дефектів та оксидів з поверхні та її
захисту від впливу зовнішніх чинників. Сульфідна обробка поверхні є
одним із методів, який дозволяє в одному технологічному циклі виконати
обидві операції. Сульфідна обробка має і інші переваги, зокрема,
спостерігалося покращення характеристик p–n та МДН структур, сонячних
елементів та напівпровідникових лазерів. Проте немає систематичних
досліджень, які були б присвячені впливу різної тривалості обробки з
сульфідних розчинів на зміну характеристик напівпровідникових приладів.
Мета даної роботи — дослідити механізми впливу сульфідної обробки
поверхні з різною тривалістю на спектри фотоструму p–n переходів на
основі GaAs і пояснити спостережувані відмінності.
Опис
Ключові слова
105 прикладна фізика та наноматеріали, сульфідна обробка, арсенід галію, напівпровідникові прилади, діоди
Бібліографічний опис
Єрьомін, О. В. Вплив довготривалої сульфідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі арсеніду галію / О. В. Єрьомін. – Одеса, 2022. – 41 с.