Кинетические явления в полупроводниках

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorПастернак, Валерий Александрович
dc.contributor.authorКаракис, Юрий Николаевич
dc.date.accessioned2019-03-04T09:18:53Z
dc.date.available2019-03-04T09:18:53Z
dc.date.issued2017
dc.description.abstractЛабораторными работами настоящего специального практикума является цикл задач по определению характеристик и параметров полупроводниковых материалов. В методические указания включены задачи, связанные с исследованием особенностей переноса заряда в полупроводниках. Задачи посвящены определению удельного сопротивления, электрической однородности образцов, ширины запрещённой зоны, концентрации носителей, их дрейфовой и холловской подвижности. Три задачи связаны с изучением отдельных явлений – эффекта Холла, протекания токов, ограниченных пространственным зарядом и исследованием термо-э.д.с. в кристаллах. В каждой задаче даётся необходимый материал для понимания сути протекающих процессов в исследуемых образцах. При этом существенное внимание уделяется рассмотрению физической модели, снабжаемой по мере необходимости математическими выкладками. Более детальные выводы можно найти в литературе, список которой предлагается в конце методических указаний. Значительное место в задачах выделяется рассмотрению методики измерений. При подготовке следует обратить особое внимание на специфику проводимого эксперимента и способов работы с лабораторным оборудованием. Для самоконтроля освоения материала в конце каждой задачи приводятся вопросы по рассматриваемой теме. Пунктирной чертой отделены вопросы повышенной сложности. Задачи выполняются на собранных установках с представленными электрическими схемами. Для удобства размещение измерительных приборов на этих схемах соответствует их расположению на панели установок. Для упрощения расчётов в приложениях к методическим указаниям приводятся размерности используемых параметров полупроводников и их соотношение с системой СИ. Кроме этого представлен возможный интервал этих величин, а также конкретные значения для наиболее популярных полупроводников.uk
dc.description.abstractДокумент знаходиться лише в закритому доступі. Доступ до документу тільки на теріторії НБ ОНУ ім. І. І. Мечнікова. Для перегляду натиснить посилання, приведене нижче.
dc.identifierУДК 621.315.59(076.5)
dc.identifier.citationПастернак, В. А. Кинетические явления в полупроводниках : метод. указ. к лабораторным работам по спецпрактикуму "Кинетические явления в полупроводниках" / В. А. Пастернак, Ю. Н. Каракис; ОНУ им. И.И. Мечникова, Физ. фак. – Одесса : Одесский нац. ун-т, 2017. – 71 с.uk
dc.identifier.urihttp://opac.lib.onu/metodichki/fiz/kinetich_yav_poluprovodnik.pdf
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.subjectудельное сопротивление полупроводниковuk
dc.subjectисследование эффекта Холлаuk
dc.subjectтемпературная зависимость проводимостиuk
dc.subjectширина запрещённой зоныuk
dc.subjectдрейфовая подвижностьuk
dc.subjectпространственный зарядuk
dc.subjectметод термозондаuk
dc.subjectтип основных носителейuk
dc.titleКинетические явления в полупроводникахuk
dc.typeLearning Objectuk
Файли
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Підручники, навчальні посібники та інші науково- та навчально-методичні праці ФМФІТ