Деградація параметрів кремнієвих сенсорів

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСминтина, Валентин Андрійович
dc.contributor.authorКулініч, О. А.
dc.contributor.authorГлауберман, Михаил Аббович
dc.contributor.authorГлауберман, Михайло Абович
dc.contributor.authorGlauberman, Mykhailo A.
dc.date.accessioned2013-12-18T10:28:58Z
dc.date.available2013-12-18T10:28:58Z
dc.date.issued2008
dc.description3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.uk
dc.description.abstractНа думку відомих фахівців, працюючих в провідних світових науково-виробничих підприємствах з виробництва елементів електронної техніки напівпровідниковий кремній, завдяки своїм електрофізичним, механічним та технологічним властивостям, буде залишатися основою для виробництва напівпровідникових пристроїв ще більш ніж 100 років. В наш час перехід від мікророзмірних елементів до нанорозмірних елементів пред’являє підвищені вимоги до якості напівпровідникових матеріалів.uk
dc.identifier.citation3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/4118
dc.language.isoukuk
dc.subjectнапівпровідниковий кремнійuk
dc.subjectнанорозмірні елементиuk
dc.subjectмікророзмірні елементіиuk
dc.subjectдефекти вихідного кремніюuk
dc.titleДеградація параметрів кремнієвих сенсорівuk
dc.typeArticleuk
Файли
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Статті та доповіді ФМФІТ