ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ПЛЕНОК А2 В6, СТИМУЛИРОВАННАЯ ПОВЕРХНОСТНЫМИ ЯВЛЕНИЯМИ
dc.contributor.author | Смынтына, Валентин Андреевич | |
dc.contributor.author | Турецкий, А. Е. | |
dc.contributor.author | Чемересюк, Г. Г. | |
dc.date.accessioned | 2012-10-15T08:15:11Z | |
dc.date.available | 2012-10-15T08:15:11Z | |
dc.date.issued | 1987 | |
dc.description | Известия ВУЗов: Физика : Ежемесячный научный журнал / , Томский гос. ун-т . – 1958 . – На рус. яз. | uk |
dc.description.abstract | Изучен механизм изменения величины отношения фототока к темновому току (α=/ϕ//т) при взаимодействии с кислородом тонких пленок сульфида и селенида кадмия, полученных, соответственно, электрогидродинамическим распылением жидкости и термическим напылением в вакууме.Увеличение а может быть обусловлено не только уменьшением уровня темнового тока в результате хемосорбции кислорода на поверхности кристаллитов образцов, но и дополнительно к этому увеличением времени жизни фотоэлектронов в области пространственного заряда, приводящим к повышению фоточувствительности слоев.При этом происходит перераспределение рекомбинационных потоков на s- и r-центрах в сторону увеличения вклада r-центров. При определении роли кислорода в процессах очувствления полупроводников необходимо учитывать природу центров, ответственных за рекомбинационные процессы, а также отличия в составе поверхности слоев. | uk |
dc.identifier.citation | Известия ВУЗов:Физика | uk |
dc.identifier.uri | https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2610 | |
dc.language.iso | ru | uk |
dc.relation.ispartofseries | ;вып.10,С.97-101 | |
dc.title | ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ПЛЕНОК А2 В6, СТИМУЛИРОВАННАЯ ПОВЕРХНОСТНЫМИ ЯВЛЕНИЯМИ | uk |
dc.type | Article | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1