Вплив режимів сульфідної обробки поверхні на газову чутливість GaAs p-n переходів

dc.contributor.authorБурка, Денис Іванович
dc.date.accessioned2018-05-23T11:33:21Z
dc.date.available2018-05-23T11:33:21Z
dc.date.issued2017
dc.description.abstractГазові сенсори широко використовуються в сучасній техніці. Розширення сфер застосування газових сенсорів вимагає підвищення їхньої чутливості та селективності. Розробка методів підвищення чутливості напівпровідникових газових сенсорів, які працюють при кімнатній температурі - актуальне завдання сучасної електроніки. Метою даної роботи було вивчення впливу режимів сульфідної обробки поверхні при освітленні на чутливість р-п переходів на основі GaAs до парів аміаку. Для виконання поставленої мети вимірювалися вольтамперні характеристики прямих і зворотних струмів р-п переходів на основі GaAs у повітрі, в парах води і аміаку з різним парціальним тиском до і після сульфідної обробки поверхні з різною тривалістю при освітленні сфокусованих світлом від лампи розжарювання. Аналізувалися залежності додаткових прямих і зворотних струмів, що виникають в парах аміаку, від часу обробки поверхні і парціального тиску газу. Оцінювалася чутливість прямих і зворотних струмів р-n переходів на основі GaAs до парах аміаку до і після сульфідної обробки.uk
dc.identifier.citationБурка, Д. І. Вплив режимів сульфідної обробки поверхні на газову чутливість GaAs p-n переходів = Effect of sulphide surface treatment on the sensitivity of the GaAs p-n junctions : дипломна робота магістра / Д. І. Бурка ; наук. кер. Н. В. Маслєєва ; ОНУ ім. І.І. Мечникова, Фіз. ф-т, Каф. фізики твердого тіла і твердотільної електроніки . – Одеса, 2017 . – 50 с.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/15909
dc.language.isootheruk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.subject8.04020301 Фізикаuk
dc.subjectсульфідна обробка поверхніuk
dc.subjectарсенід галіюuk
dc.subjectгазові сенсориuk
dc.subjectаміакuk
dc.titleВплив режимів сульфідної обробки поверхні на газову чутливість GaAs p-n переходівuk
dc.title.alternativeEffect of sulphide surface treatment on the sensitivity of the GaAs p-n junctionsuk
dc.typeOtheruk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
8.04020301_Burka_Ltnis_Ivanovich1.pdf
Розмір:
224.31 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: