Вплив режимів сульфідної обробки поверхні на газову чутливість GaAs p-n переходів

Альтернативна назва
Effect of sulphide surface treatment on the sensitivity of the GaAs p-n junctions
Вантажиться...
Ескіз
Дата
2017
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Газові сенсори широко використовуються в сучасній техніці. Розширення сфер застосування газових сенсорів вимагає підвищення їхньої чутливості та селективності. Розробка методів підвищення чутливості напівпровідникових газових сенсорів, які працюють при кімнатній температурі - актуальне завдання сучасної електроніки. Метою даної роботи було вивчення впливу режимів сульфідної обробки поверхні при освітленні на чутливість р-п переходів на основі GaAs до парів аміаку. Для виконання поставленої мети вимірювалися вольтамперні характеристики прямих і зворотних струмів р-п переходів на основі GaAs у повітрі, в парах води і аміаку з різним парціальним тиском до і після сульфідної обробки поверхні з різною тривалістю при освітленні сфокусованих світлом від лампи розжарювання. Аналізувалися залежності додаткових прямих і зворотних струмів, що виникають в парах аміаку, від часу обробки поверхні і парціального тиску газу. Оцінювалася чутливість прямих і зворотних струмів р-n переходів на основі GaAs до парах аміаку до і після сульфідної обробки.
Опис
Ключові слова
8.04020301 Фізика, сульфідна обробка поверхні, арсенід галію, газові сенсори, аміак
Бібліографічний опис
Бурка, Д. І. Вплив режимів сульфідної обробки поверхні на газову чутливість GaAs p-n переходів = Effect of sulphide surface treatment on the sensitivity of the GaAs p-n junctions : дипломна робота магістра / Д. І. Бурка ; наук. кер. Н. В. Маслєєва ; ОНУ ім. І.І. Мечникова, Фіз. ф-т, Каф. фізики твердого тіла і твердотільної електроніки . – Одеса, 2017 . – 50 с.
DOI
ORCID:
УДК