Неоднородность приповерхностных слоев гетерогенных систем после термической обработки

dc.contributor.authorТерлецкая, Л. Л.
dc.contributor.authorКопыт, Николай Харламович
dc.contributor.authorКалиниченко, Л. Ф.
dc.contributor.authorТерлецька, Л. Л.
dc.contributor.authorКопит, М. Х.
dc.contributor.authorКалініченко, Л. Ф.
dc.contributor.authorГолубцов, Вячеслав Васильевич
dc.contributor.authorTerletskaya, L. L.
dc.contributor.authorKopyt, Mykola Kh.
dc.contributor.authorKalinichenko, L. F.
dc.contributor.authorGolubtsov, B. B.
dc.date.accessioned2014-03-27T02:07:17Z
dc.date.available2014-03-27T02:07:17Z
dc.date.issued2012
dc.descriptionФизика аэродисперсных систем: межвед. научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса, 2012uk
dc.description.abstractУстановлена существенная слоистая неоднородность в приповерхностных областях полуизолирующего арсенида галлия после термического отжига при температурах, близких процессу жидкофазной эпитаксии. Показаны возможности оптимизации параметров подложек для получения на их основе малонапряженных эпитаксиальных структур с улучшенными функциональными свойствами.uk
dc.description.abstractВизначено суттєву шарувату неоднорідність у приповерхневих областях пластин напівізолюючого арсеніду галлію nicля відпалy при температурах, близьких до процесу рідкофазової enimakciï. Показано можливість оптимізації napaмempiв підкладинок для отримання на ïx ocнoвi малонапруженних епітаксичних структур з покращеними функціональними властивостями.uk
dc.description.abstractConsiderable layered inhomogeneity in the near-surface region of semi-insulating GaAs substrates after thermal processing at the temperature LPE is established. The possibility of substrates parameters optimization is shown to obtain nonstrained epitaxial structures with improved functional properties.uk
dc.identifier.citationФизика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса, 2012uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/4758
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдесский национальный университет им. И. И. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вып. 49; С. 27-30
dc.subjectслоистая неоднородностьuk
dc.subjectарсенида галлияuk
dc.subjectтермический отжигuk
dc.subjectпроцесс жидкофазной эпитаксииuk
dc.subjectмалонапряженные эпитаксиальные структурыuk
dc.subjectшарувата неоднорідністьuk
dc.subjectарсеніду галліюuk
dc.subjectвідпалuk
dc.subjectпроцес рідкофазової enimakciïuk
dc.subjectмалонапруженні епітаксичні структуриuk
dc.subjectlayered inhomogeneityuk
dc.subjectsemi-insulating GaAs substratesuk
dc.subjectthermal processinguk
dc.subjectLPE is establisheduk
dc.subjectnonstrained epitaxial structuresuk
dc.titleНеоднородность приповерхностных слоев гетерогенных систем после термической обработкиuk
dc.title.alternativeНеоднорідністьть приповерхневих шарів гетерогенних систем після термічного відпалуuk
dc.title.alternativeIngomogeneityin near-surface layers of heterogeneous systems after thermal processinguk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
27-30а.pdf
Розмір:
313.75 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: