ЕЛЕКТРОННІ ВЛАСТИВОСТІ ГЕТЕРОГЕННИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ З НАНОРОЗМІРНИМИ ПОРАМИ В ОБ’ЄМІ

dc.contributor.authorМаренков, Володимир Ілліч
dc.contributor.authorМаренков, Владимир Ильич
dc.contributor.authorMarenkov, Volodymyr I.
dc.date.accessioned2013-12-02T08:58:50Z
dc.date.available2013-12-02T08:58:50Z
dc.date.issued2008
dc.description3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.uk
dc.description.abstractПерспективні розробки в області наносенсорної електроніки, орієнтовані на можливості нової елементної бази з використанням гетерогенних напівпровідникових матеріалів, висувають на передній план нагальну теоретичну проблему - створення нових прикладних методів моделювання та визначення ефективних електронних властивостей напівпровідників з мікровключеннями в об’ємі. Для наносенсорів та аналізаторів газових середовищ, визначальним (у сенсі механізму взаємодії реагента та чутливого елемента ) є зміна електронного спектру контактного шару, зумовлена локальними електричними полями, що діють на межі мікронеоднорідності базового матеріалу в об’ємі гетерогенного напівпровідника (ГН).uk
dc.identifier.citation3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/4011
dc.language.isoukuk
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;С. 127
dc.subjectгетерогенні напівпровідникиuk
dc.subjectнаносенсориuk
dc.subjectоб’ємuk
dc.titleЕЛЕКТРОННІ ВЛАСТИВОСТІ ГЕТЕРОГЕННИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ З НАНОРОЗМІРНИМИ ПОРАМИ В ОБ’ЄМІuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
127.pdf
Розмір:
65.12 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: