Вплив халкогенідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі GaAs

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorАджалілов, Мурат Курсаітович
dc.date.accessioned2023-11-02T11:14:22Z
dc.date.available2023-11-02T11:14:22Z
dc.date.issued2023
dc.description.abstractЗменшення розмірів сучасних напівпровідникових пристроїв збільшує вплив поверхневих явищ на їхні характеристики. Через це виникає необхідність покращення стану поверхні, яке відбувається при усуненні дефектів та оксидів з поверхні та її захисту від впливу зовнішніх чинників. Сульфідна обробка поверхні є одним з методів, який дозволяє в одному технологічному циклі виконати як хімічну, так і електронну пасивацію поверхні. Незважаючи на велику кількість наукових досліджень, немає систематичних досліджень, які були б присвячені порівнянням впливів короткотривалої і довготривалої обробки на зміну характеристик напівпровідникових приладів одного виду.uk_UA
dc.identifier.citationАджалілов, М. К. Вплив халкогенідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі GaAs : дипломна робота бакалавра / М. К. Аджалілов. – Одеса, 2023. – 27 с.uk_UA
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/36506
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherОдеський національний університет ім. І. І. Мечниковаuk_UA
dc.subject104 фізика та астрономіяuk_UA
dc.subjectосвітня програма фізика та астрономіяuk_UA
dc.subjectхалькогенідна обробкаuk_UA
dc.subjectхалькогенідна пасиваціяuk_UA
dc.subjectфотострумuk_UA
dc.subjectдіодиuk_UA
dc.titleВплив халкогенідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі GaAsuk_UA
dc.typeDiplomasuk_UA
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
104_Adzhalilov_ Murat_ Kursaitovych.pdf
Розмір:
1.71 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Бакалаври МФІТ