Методические указания к лабораторным работам по спецпрактикуму "Физика полупроводниковых приборов"
dc.contributor.author | Чебаненко, Анатолий Павлович | |
dc.contributor.author | Зубрицкий, Сергей Всеволодович | |
dc.contributor.author | Каракис, Юрий Николаевич | |
dc.contributor.author | Karakis, Yurii M. | |
dc.contributor.author | Каракіс, Юрій Миколайович | |
dc.date.accessioned | 2019-03-09T10:22:34Z | |
dc.date.available | 2019-03-09T10:22:34Z | |
dc.date.issued | 2015 | |
dc.description.abstract | В течение ряда лет на физическом факультете Одесского национального университета читается специальный курс “Приборы твёрдотельной электроники” для студентов, специализирующихся по физике полупроводников и диэлектриков. Практическим подкреплением теоретических положений, рассматриваемых в данном курсе, является выполнение лабораторных работ на специальном практикуме. Этот практикум предусматривает обучение студентов различным методам исследования характеристик и параметров основных полупроводниковых приборов, используемых в современной электронике. В настоящих методических указаниях рассмотрены работы, посвященные исследованию полупроводниковых приборов, принцип действия которых базируется на свойствах р-n-перехода: выпрямительных диодов, опорных диодов, импульсных диодов, туннельных диодов, фотодиодов. Работы выполняются на собранных установках, в которых используется стандартная аппаратура. В описании каждой задачи приведен теоретический материал, позволяющий разобраться в процессах, протекающих в изучаемых полупроводниковых приборах, а также методике измерений и обработке экспериментальных результатов. При этом существенное внимание уделяется рассмотрению физической модели, снабжаемой по мере необходимости математическими выкладками. Более детальные выводы можно найти в литературе, список которой предлагается в завершении методических указаний. В конце каждой работы приводится список контрольных вопросов. Вопросы повышенной сложности отделены чертой.Методические указания написаны в соответствии с действующей ныне программой дисциплины “Приборы твёрдотельной электроники”. Цель данного издания – помочь студентам специализации “Физика полупроводников и диэлектриков” в их самостоятельной работе над соответствующими курсами. Указания призваны выработать у студентов навыки самостоятельной экспериментальной работы, а также применять теоретические знания для решения практических задач. Для студентов 4-го курса физического факультета специализации “физика полупроводников и диэлектриков”. | uk |
dc.identifier | УДК 621.328(076.5) | |
dc.identifier.citation | Чебаненко, А. П. Методические указания к лабораторным работам по спецпрактикуму “Физика полупроводниковых приборов”/ А. П. Чебаненко; С. В. Зубрицкий; Ю. Н. Каракис; Одесса: «Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова», 2015. – 60 с. | uk |
dc.identifier.uri | https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/22710 | |
dc.language.iso | ru | uk |
dc.publisher | Одеський національний університет імені І. І. Мечникова | uk |
dc.relation.ispartofseries | ;Ч. 1. | |
dc.subject | p-n-переход в вырожденном полупроводнике | uk |
dc.subject | вольт-амперные характеристики туннельного диода | uk |
dc.subject | уравнения фотодиода | uk |
dc.subject | характеристика фотоэлементов | uk |
dc.subject | экспериментальная установка | uk |
dc.subject | приборы твёрдотельной электроники | uk |
dc.subject | полупроводниковые приборы | uk |
dc.title | Методические указания к лабораторным работам по спецпрактикуму "Физика полупроводниковых приборов" | uk |
dc.type | Learning Object | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- Chebanenko.pdf
- Розмір:
- 3.07 MB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 1.71 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: