Перегляд за Автор "Mokritsky, V. A."

Зараз показуємо 1 - 5 з 5
  • Ескіз
    Документ
    Властивості оптичних вікон для сенсорів ІЧ діапазону
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2007) Мокрицький, В. А.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Пашков, О. С.; Mokritsky, V. A.; Lepikh, Yaroslav I.; Pashkov, A. S.; Мокрицкий, В. А.; Лепих, Ярослав Ильич; Пашков, А. С.
    Досліджено властивості вікон сенсорів ІЧ діапазону, що використовуються для фотоприймач ів, які працюють в умовах жорсткого випромінювання. Досліджено зміну властивостей вікон з кристалів германія, арсеніду галія, антимоніду індія. Показано, що такі зміни залежать від вихідних властивостей та появи структурних дефектів. Properties of IR sensor windows which are used for the photodetectors working in conditions of hard radiation are investigated. Germanium, gallium arsenide and indium antimonide crystals windows property change is investigated. It is shown, that such changes depend on initial properties and occurrence of structural defects. Исследованы свойства окон сенсоров ИК диапазона, которые используются для фотоприемников, работающих в условиях жосткого излучения. Исследовано изменение свойств окон из кристаллов германия, арсенида галлия, антимонида индия. Показано, что такие изменения зависят от исходных свойств и появления структурных дефектов.
  • Ескіз
    Документ
    Влияние быстрых электронов на свойства эпитаксиальных слоев кремния и параметры фоторезисторов на их основе
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2008) Мокрицкий, В. А.; Лепих, Ярослав Ильич; Курицын, Е. М.; Банзак, О. В.; Мокрицький, В. А.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Куріцин, Є. М.; Банзак, О. В.; Mokritsky, V. A.; Lepikh, Yaroslav I.; Kuritsyn, E. M.; Banzak, O. V.
    Исследована радиационная стойкость параметров датчиков ИК-излучения к облучению электронами с энергией 2,3 и 3,0 МэВ. На основе известной теории работы фоторезисторов показана связь радиационной стойкости их параметров с электрофизическими свойствами эпитаксиальных слоев кремния, используемых для изготовления таких приборов. Исследованы изменения концентрации и подвижности носителей заряда в условиях облучения разных систем “слой-подложка”. Предлагается объяснение причин таких изменений и условия проектирования радиационно стойких приборов. Досліджено радіаційну стійкість параметрів датчиків ІЧ- випромінювання до опромінення електронами з енергією 2,3 й 3,0 Мев. На основі відомої теорії роботи фоторезисторів показаний зв’язок радіаційної стійкост і їхніх параметрів з електрофізичними властивостями епітаксиальних шарів кремнію, що використовуються для виготовлення таких приладів. Досліджено зміни концентрації й рухливост і носіїв заряду в умовах опромінення різних систем “шар-підкладка”. Пропонується пояснення причин таких змін й умови проектування радіаційно стійких приладів. Radiating stability of parameters gauges of IR-radiation an irradiation electrons with energy 2,3 and 3,0 ÌåV is investigated. On the basis of the known theory work of photoresistors communication of radiating stability of their parameters with electrophysical properties epetacselition the layers of silicon used for manufacturing of such devices is shown. Changes of concentration and mobility of carriers a charge in conditions of an irradiation different systems “layer-substrate” are investigated. The explanation of the reasons of such changes and conditions of designing radiation proof devices is offered.
  • Ескіз
    Документ
    Радиационная модификация спектров фотолюминесценции арсенида галлия
    (Астрапринт, 2010) Лепих, Ярослав Ильич; Мокрицкий, В. А.; Ленков, С. В.; Банзак, О. В.; Гунченко, Ю. А.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Мокрицький, В. А.; Лєнков, С. В.; Гунченко, Ю. О.; Lepikh, Yaroslav I.; Mokritsky, V. A.; Lenkov, S. V.; Banzak, O. V.; Gunchenko, Yu. A.
    В работе обнаружены изменения электрических параметров слоев, полученных с использованием облучения гамма-квантами в процессе эпитаксии. Дано объяснение полученных результатов образованием комплексов первичных радиационных дефектов с атомами примеси. Исследованы спектры фотолюминесценции слоев арсенида галлия, полученных с начальной температурой эпитаксии 1023 К.
  • Ескіз
    Документ
    СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И НЕЙТРОНОВ НА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
    (Астропринт, 2009) Мокрицкий, В. А.; Завадский, В. А.; Ленков, С. В.; Лепих, Ярослав Ильич; Банзак, О. В.; Mokritsky, V. A.; Zavadsky, V. A.; Lenkov, S. V.; Lepikh, Yaroslav I.; Banzak, O. V.; Мокрицький, В. А.; Завадський, В. А.; Лєнков, С. В.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Банзак, О. В.
    Исследованы радиационные эффекты, возникающие в эпитаксиальных слоях арсенида галлия при облучении быстрыми электронами и нейтронами. Проведен сравнительный анализ их влияния на электрофизические параметры соединения GaAs. The radiating effects arising in epitaxial layers of gallium arsenide at an irradiation fast electrons and neutrons are investigated. The comparison analyses of their influence on electrophysical parameters of compound GaAs. Досліджені радіаційні ефекти, що виникають в епітаксіальних шарах арсені- ду галія при опроміненні швидкими електронами і нейтронами. Проведено порівняльний аналіз їх впливу на електрофізичні параметри сполуки GaAs.
  • Ескіз
    Документ
    УЗАГАЛЬНЕНИЙ КОМПЛЕКСНИЙ ПОКАЗНИК ЯКОСТІ КРЕМНІЄВИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ ДЛЯ АПАРАТУРИ СПЕЦІАЛЬНОГО ПРИЗНАЧЕННЯ
    (Астропринт, 2009) Лєнков, С. В.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Мокрицький, В. А.; Лукомський, Д. В.; Охрамович, М. М.; Lenkov, S. V.; Lepikh, Yaroslav I.; Mokritsky, V. A.; Lukomsky, D. V.; Ohramovich, M. M.; Лепих, Ярослав Ильич
    У даній статті описано новий спосіб аналізу та керування параметрами ФЕП для апаратури спеціального призначення за допомогою узагальненого комплексного показника якості та надійності. Запропонований параметр Q дозволяє не тільки керувати процесом виготовлення кремнієвих ФЕП, але і проводити аналіз рівня їх якості та оцінювати дефектність готових виробів. The new mode of the analysis and management in PhEC parameters for the special purpose equipment with the help of the generalized complex quality and reliability coefficient is described. The proposed parameter Q allows not only to operate silicon PhEC manufacturing process, but also to carry out their quality level analysis and to estimate the finished production deficiency.