Перегляд за Автор "Kulinich, O. A."

Зараз показуємо 1 - 5 з 5
  • Ескіз
    Документ
    CURRENT FLOW PROCESS SIMULATION IN METAL-SILICON STRUCTURES
    (Астропринт, 2006) Kulinich, O. A.; Smyntyna, Valentyn A.; Glauberman, Mykhailo A.; Chemeresiuk, Heorhii H.; Yatsunskiy, I. R.; Кулініч, О. А.; Сминтина, Валентин Андрійович; Глауберман, Михайло Абович; Чемересюк, Георгій Гаврилович; Яцунський, Ігор Ростиславович; Кулинич, О. А.; Смынтына, Валентин Андреевич; Глауберман, Михаил Аббович; Чемересюк, Георгий Гаврилович; Яцунский, Игорь Ростиславович
    The model of current flow process simulation in metal-silicon structures with used modern method of investigation within the limits of thermo-electric, drift-diffusion and tunnel-resonant theories and it bases on barrier properties of structural defects. В роботі на основі проведених досліджень за допомогою сучасних методів запропонована фізико-математична модель струмопереносу в структурах метал-кремній в межах термоелектронної, дрейфово-дифузіоної та тунельно- резонансних теорій і основана на бар'єрних властивостях структурних дефектів. В данной роботе на основе исследований, проведенных с помощью современных методов, предложена физико- математическая модель токопереноса в структурах металл-кремний в рамках термоэлектронной, дрейфово-дифузио- ной и туннельно-резонансных теорий и она основана на барьерных свойствах структурных дефектов.
  • Ескіз
    Документ
    FACTORS INFLUENCING THE YIELD STRESS OF SILICON
    (Астропринт, 2010) Smyntyna, Valentyn A.; Kulinich, O. A.; Iatsunskyi, Igor R.; Marchuk, I. A.; Смынтына, Валентин Андреевич; Кулинич, О. А.; Яцунский, Игорь Ростиславович; Марчук, И. А.
    Factors influencing the yield stress of silicon are investigated with advanced research methods. It is shown that elastic stresses which are concentrated at the structural defects (dislocation, crystalline grain boundary, dendrite and lamella) will influence on the yield stress of silicon. Используя современные методы исследования, определенны факторы, влияющие на величину порога пластичности монокристаллического кремния. Наряду с известными факторами, величина порога пластичности будет зависеть от упругих напряжений, локализованных в области нахождения структурных дефектов.
  • Ескіз
    Документ
    INVESTIGATION OF NANOSTRUCTURED SILICON SURFACES USING FRACTAL ANALYSIS
    (Astroprint, 2011) Smyntyna, Valentyn A.; Kulinich, O. A.; Yatsunskiy, I. R.; Marchuk, I. A.; Pavlenko, Mykola V.; Смынтына, Валентин Андреевич; Кулинич, О. А.; Яцунский, Игорь Ростиславович; Марчук, И. А.; Павленко, Николай Николаевич; Сминтина, Валентин Андрійович; Кулініч, О. А.; Яцунський, Ігор Ростиславович; Марчук, І. О.; Павленко, Микола Миколайович
    Fractal analysis was applied to images of nanostructured silicon surfaces which were acquired with a scanning electron microscope.A fractal model describing nanostructured silicon surfaces morphology is elaborated.It were obtained the numerical results for the fractal dimensions for 2 samples with different nanostructured shapes.
  • Ескіз
    Документ
    THE STRUCTURE INVESTIGATION OF NEAR-SURFACE LAYERS IN SILICON – DIOXIDE SILICON SYSTEMS
    (Астропринт, 2008) Smyntyna, Valentyn A.; Kulinich, O. A.; Glauberman, Mykhailo A.; Chemeresiuk, Heorhii H.; Yatsunskiy, I. R.; Смынтына, Валентин Андреевич; Кулинич, О. А.; Глауберман, Михаил Аббович; Чемересюк, Георгий Гаврилович; Яцунский, Игорь Ростиславович; Сминтина, Валентин Андрійович; Кулініч, О. А.; Глауберман, Михайло Абович; Чемересюк, Георгій Гаврилович; Яцунський, Ігор Ростиславович
    The near-surface silicon layers in silicon – dioxide silicon systems with used modern method of research are investigated. It is shown that these layers have compound structure and their parameters depend on oxidation and initial silicon parameters. В данной работе на основе проведенных с помощью современных методов исследования показана сложная структура приповерхностных слоев кремния в системах кремний – диоксид кремния. Выявлены зависимости параметров этих слоев от условия оксидирования и характеристик первоначального кремния. В роботі на основі проведених за допомогою сучасних методів досліджень приповерхневих шарів кремнію в системах кремній – діоксид кремнію показано їх складна структура. Показано залежність розмірів ціх шарів від параметрів окислення та характеристик кремнію.
  • Ескіз
    Документ
    Моделювання процесу струмопереносу в реальних структурах метал-кремній з бар’єром Шоткі
    (2005) Сминтина, Валентин Андрійович; Кулініч, О. А.; Глауберман, Михайло Абович; Чемересюк, Г. Г.; Яцунский, І. Р.; Smyntyna, Valentyn A.; Kulinich, O. A.; Glauberman, Mykhailo A.; Chemeresuk, G. G.; Yaсunsky, I. R.; Глауберман, Михаил Аббович
    В роботі на основі проведених за допомогою сучасних методів досліджень запропонована модель струмопереносу в реальних структурах метал-кремній в межах діодної та дрейфової теорій і основана на бар’єрних властивостях структурних дефектів і залежності рухловості носіїв зарядів від різних механізмів процесу розсіювання.