Перегляд за Автор "Chemeresiuk, Heorhii H."

Зараз показуємо 1 - 7 з 7
  • Ескіз
    Документ
    CURRENT FLOW PROCESS SIMULATION IN METAL-SILICON STRUCTURES
    (Астропринт, 2006) Kulinich, O. A.; Smyntyna, Valentyn A.; Glauberman, Mykhailo A.; Chemeresiuk, Heorhii H.; Yatsunskiy, I. R.; Кулініч, О. А.; Сминтина, Валентин Андрійович; Глауберман, Михайло Абович; Чемересюк, Георгій Гаврилович; Яцунський, Ігор Ростиславович; Кулинич, О. А.; Смынтына, Валентин Андреевич; Глауберман, Михаил Аббович; Чемересюк, Георгий Гаврилович; Яцунский, Игорь Ростиславович
    The model of current flow process simulation in metal-silicon structures with used modern method of investigation within the limits of thermo-electric, drift-diffusion and tunnel-resonant theories and it bases on barrier properties of structural defects. В роботі на основі проведених досліджень за допомогою сучасних методів запропонована фізико-математична модель струмопереносу в структурах метал-кремній в межах термоелектронної, дрейфово-дифузіоної та тунельно- резонансних теорій і основана на бар'єрних властивостях структурних дефектів. В данной роботе на основе исследований, проведенных с помощью современных методов, предложена физико- математическая модель токопереноса в структурах металл-кремний в рамках термоэлектронной, дрейфово-дифузио- ной и туннельно-резонансных теорий и она основана на барьерных свойствах структурных дефектов.
  • Ескіз
    Документ
    Determination of parameters for intercrystallite barriers of Zinc selenide electroluminescent Films
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2004) Chebanenko, Anatoliy P.; Chemeresiuk, Heorhii H.; Чебаненко, Анатолій Павлович
    Volt-current ch ara cte ristics and tem p e ra tu re dependencies of c u rre n t for zinc selenide e lectro lumin e sc en t films are p resented. The possibility to determine some param ete rs of polycrystalline layer from th e s e m e a su rem en ts — linear sizes of crystallites, th ick n e ss and en ergy height of intercry sta llin e potential b arriers is shown.
  • Ескіз
    Документ
    Effects connected with interaction of charge carriers and R-centers basic and exited states
    (Астропринт, 2009) Brytavskyi, Yevhen V.; Karakis, Yurii M.; Kutalova, Mariia I.; Chemeresiuk, Heorhii H.; Бритавский, Евгений Викторович; Каракис, Юрий Николаевич; Куталова, Мария Ивановна; Чемересюк, Георгий Гаврилович; Бритавський, Євген Вікторович; Каракіс, Юрій Миколайович; Куталова, Марія Іванівна; Чемересюк, Георгій Гаврилович
    The critical modes of illumination for samples with sensitization centers by exciting and quenching light were investigated. And the conditions when the spectral distribution of infrared quenching coefficient changed qualitatively have been founded. Disappearance of quenching shortwave maximum within the range of 1000 m connected with photoexcitation of holes from R-centers under the high intrinsic conductivity. The anomalous shape of quenching curve without long-wave maximum in the range of 1400 m was obtained. The observed dependence is explained by the decrease of quantum yield for infrared illumination.
  • Ескіз
    Документ
    Features luminous conductivity in the crystals treated in a corona discharge
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2016) Minaeva, O. P.; Simanovych, Nadiia S.; Zatovska, Nataliia P.; Karakis, Yurii M.; Kutalova, Mariia I.; Chemeresiuk, Heorhii H.; Мінаева, О. П.; Симанович, А. С.; Затовська, Наталія Петрівна; Каракіс, Юрій Миколайович; Куталова, Марія Іванівна; Чемересюк, Георгій Гаврилович; Минаева, О. П.; Симанович, А. С.; Затовская, Наталия Петровна; Каракис, Юрий Николаевич; Куталова, Мария Ивановна; Чемересюк, Георгий Гаврилович
    The technology of processing of semiconductor crystals is developed in the corona discharge. It is established that as a result of this exposure, the samples acquire alternating spectral sensitivity. The observed phenomenon is explained by the emergence of a saddle of the potential barrier in the surface region of the element, the unusual properties which can allow the creation of a new type of device.
  • Ескіз
    Документ
    Features of thermo-optical transitions from the recombinational centers excited states
    (Astroprint, 2011) Melnik, А. S.; Karakis, Yurii M.; Kutalova, Mariia I.; Chemeresiuk, Heorhii H.; Мельник, А. С.; Каракис, Юрий Николаевич; Куталова, Мария Ивановна; Чемересюк, Георгій Гаврилович; Мельнік, А. С.; Каракіс, Юрій Миколайович; Куталова, Марія Іванівна; Чемересюк, Георгий Гаврилович
    The model of thermo-optical transitions created is confirmed experimentally.The process of hole release from ground state trough excited one to valence band includes firstly the transition at phonon absorption ER → ER′ with energy 0,2 eV and then excitation to the free state ER′→Ev at the expense of photon energy hν = 0,9 eV.The research in effect of photocurrent infrared quenching to determine the priority of optical-thermal transitions at hole release from R-centers was carried out.
  • Ескіз
    Документ
    Reversive spectral characteristics in IR-quenching range of photocurrent. The case of interacting holes
    (Астропринт, 2010) Brytavskyi, Yevhen V.; Karakis, Yurii M.; Kutalova, Mariia I.; Chemeresiuk, Heorhii H.; Каракис, Юрий Николаевич; Бритавский, Евгений Викторович; Куталова, Мария Ивановна; Чемересюк, Георгий Гаврилович; Куталова, Марія Іванівна; Чемересюк, Георгій Гаврилович; Каракіс, Юрій Миколайович
    The interaction processes between the basic and excited states of sensitization centres were investigated by reversive procedure. It was stated that all the observed effects can be explained by stimulated level of hole trap occupation and changes in thermal redistribution of captured carriers taking into account that the band scheme was corrected.
  • Ескіз
    Документ
    THE STRUCTURE INVESTIGATION OF NEAR-SURFACE LAYERS IN SILICON – DIOXIDE SILICON SYSTEMS
    (Астропринт, 2008) Smyntyna, Valentyn A.; Kulinich, O. A.; Glauberman, Mykhailo A.; Chemeresiuk, Heorhii H.; Yatsunskiy, I. R.; Смынтына, Валентин Андреевич; Кулинич, О. А.; Глауберман, Михаил Аббович; Чемересюк, Георгий Гаврилович; Яцунский, Игорь Ростиславович; Сминтина, Валентин Андрійович; Кулініч, О. А.; Глауберман, Михайло Абович; Чемересюк, Георгій Гаврилович; Яцунський, Ігор Ростиславович
    The near-surface silicon layers in silicon – dioxide silicon systems with used modern method of research are investigated. It is shown that these layers have compound structure and their parameters depend on oxidation and initial silicon parameters. В данной работе на основе проведенных с помощью современных методов исследования показана сложная структура приповерхностных слоев кремния в системах кремний – диоксид кремния. Выявлены зависимости параметров этих слоев от условия оксидирования и характеристик первоначального кремния. В роботі на основі проведених за допомогою сучасних методів досліджень приповерхневих шарів кремнію в системах кремній – діоксид кремнію показано їх складна структура. Показано залежність розмірів ціх шарів від параметрів окислення та характеристик кремнію.