Перегляд за Автор "Banzak, O. V."

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Документ
    Влияние быстрых электронов на свойства эпитаксиальных слоев кремния и параметры фоторезисторов на их основе
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2008) Мокрицкий, В. А.; Лепих, Ярослав Ильич; Курицын, Е. М.; Банзак, О. В.; Мокрицький, В. А.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Куріцин, Є. М.; Банзак, О. В.; Mokritsky, V. A.; Lepikh, Yaroslav I.; Kuritsyn, E. M.; Banzak, O. V.
    Исследована радиационная стойкость параметров датчиков ИК-излучения к облучению электронами с энергией 2,3 и 3,0 МэВ. На основе известной теории работы фоторезисторов показана связь радиационной стойкости их параметров с электрофизическими свойствами эпитаксиальных слоев кремния, используемых для изготовления таких приборов. Исследованы изменения концентрации и подвижности носителей заряда в условиях облучения разных систем “слой-подложка”. Предлагается объяснение причин таких изменений и условия проектирования радиационно стойких приборов. Досліджено радіаційну стійкість параметрів датчиків ІЧ- випромінювання до опромінення електронами з енергією 2,3 й 3,0 Мев. На основі відомої теорії роботи фоторезисторів показаний зв’язок радіаційної стійкост і їхніх параметрів з електрофізичними властивостями епітаксиальних шарів кремнію, що використовуються для виготовлення таких приладів. Досліджено зміни концентрації й рухливост і носіїв заряду в умовах опромінення різних систем “шар-підкладка”. Пропонується пояснення причин таких змін й умови проектування радіаційно стійких приладів. Radiating stability of parameters gauges of IR-radiation an irradiation electrons with energy 2,3 and 3,0 ÌåV is investigated. On the basis of the known theory work of photoresistors communication of radiating stability of their parameters with electrophysical properties epetacselition the layers of silicon used for manufacturing of such devices is shown. Changes of concentration and mobility of carriers a charge in conditions of an irradiation different systems “layer-substrate” are investigated. The explanation of the reasons of such changes and conditions of designing radiation proof devices is offered.
  • Ескіз
    Документ
    Радиационная модификация спектров фотолюминесценции арсенида галлия
    (Астрапринт, 2010) Лепих, Ярослав Ильич; Мокрицкий, В. А.; Ленков, С. В.; Банзак, О. В.; Гунченко, Ю. А.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Мокрицький, В. А.; Лєнков, С. В.; Гунченко, Ю. О.; Lepikh, Yaroslav I.; Mokritsky, V. A.; Lenkov, S. V.; Banzak, O. V.; Gunchenko, Yu. A.
    В работе обнаружены изменения электрических параметров слоев, полученных с использованием облучения гамма-квантами в процессе эпитаксии. Дано объяснение полученных результатов образованием комплексов первичных радиационных дефектов с атомами примеси. Исследованы спектры фотолюминесценции слоев арсенида галлия, полученных с начальной температурой эпитаксии 1023 К.
  • Ескіз
    Документ
    СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И НЕЙТРОНОВ НА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
    (Астропринт, 2009) Мокрицкий, В. А.; Завадский, В. А.; Ленков, С. В.; Лепих, Ярослав Ильич; Банзак, О. В.; Mokritsky, V. A.; Zavadsky, V. A.; Lenkov, S. V.; Lepikh, Yaroslav I.; Banzak, O. V.; Мокрицький, В. А.; Завадський, В. А.; Лєнков, С. В.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Банзак, О. В.
    Исследованы радиационные эффекты, возникающие в эпитаксиальных слоях арсенида галлия при облучении быстрыми электронами и нейтронами. Проведен сравнительный анализ их влияния на электрофизические параметры соединения GaAs. The radiating effects arising in epitaxial layers of gallium arsenide at an irradiation fast electrons and neutrons are investigated. The comparison analyses of their influence on electrophysical parameters of compound GaAs. Досліджені радіаційні ефекти, що виникають в епітаксіальних шарах арсені- ду галія при опроміненні швидкими електронами і нейтронами. Проведено порівняльний аналіз їх впливу на електрофізичні параметри сполуки GaAs.