Температурная зависимость параметров кремниевых МОП и РIN-фотоприемных структур при наличии структурных дефектов
| dc.contributor.author | Смынтына, Валентин Андреевич | |
| dc.contributor.author | Кулинич, О. А. | |
| dc.contributor.author | Глауберман, Михаил Аббович | |
| dc.contributor.author | Чемересюк, Г. Г. | |
| dc.contributor.author | Яцунский, И. Р. | |
| dc.contributor.author | Свиридова, О. В. | |
| dc.contributor.author | Glauberman, Mykhailo A. | |
| dc.contributor.author | Глауберман, Михайло Абович | |
| dc.date.accessioned | 2012-10-15T10:43:47Z | |
| dc.date.available | 2012-10-15T10:43:47Z | |
| dc.date.issued | 2006 | |
| dc.description | Сенсорна електронiка та мiкросистемнi технологiї (СЕМСТ-2) = SENSORS ELECTRONICS AND MICROSYSTEMS TECHNOLOGY” ) = (SEMST-2) : Мiжнар. наук.-техн. конф., 26-30червня 2006 р.; Одеса: тези доповідей / ОНУ iм. I. I. Мечникова, [та ін.]. – Одеса: Астропринт, 2006. | uk |
| dc.description.abstract | На основании исследований графиков зависимости вышеперечисленных параметров от температуры установлено,что структурные дефекты влияют не только на значения параметров,но и на ход температурных зависимое гей.Определены пороговые плотности дислокаций,влияющие на параметры,и температурный диапазон,когда различные механизмы влияния на параметры вызывают их одинаковые изменения. | uk |
| dc.identifier.citation | Сенсорна електронiка та мiкросистемнi технологiї (СЕМСТ-2) = SENSORS ELECTRONICS AND MICROSYSTEMS TECHNOLOGY” ) = (SEMST-2) | uk |
| dc.identifier.uri | https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2618 | |
| dc.language.iso | ru | uk |
| dc.relation.ispartofseries | ;Мiжнар. наук.-техн. конф. | |
| dc.title | Температурная зависимость параметров кремниевых МОП и РIN-фотоприемных структур при наличии структурных дефектов | uk |
| dc.type | Article | uk |