Дослідження оптичних та фотоелектричних властивостей халькогенідів цинку, легованих Ті та V

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВаксман, Юрій Федорович
dc.contributor.authorНіцук, Юрій Андрійович
dc.contributor.authorVaksman, Yurii F.
dc.contributor.authorNitsuk, Yurii A.
dc.date.accessioned2019-03-27T12:56:28Z
dc.date.available2019-03-27T12:56:28Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractостанні роки значно зріс інтерес до дослідження кристалів групи А2В6, легованих перехідними елементами (Ті, V, Cr, Мп, Fe, Co, Ni). Кристали халькогенідів цинку, що містять домішки Сг та Fe, використовуються в якості активних середовищ і пасивних затворів для лазерів ІЧ-діапазону. Існування декількох зарядових станів Ті, V, Ni в забороненій зоні кристалів групи А2Вб, і можливості перемикання між ними, дає можливість створення опто-оптичних перемикачів [І]. Це визначає актуальність досліджень оптичних та фотоелектричних властивостей кристалів ZnS, ZnSe, ZnTe, легованих Ті та V.uk
dc.identifier.citation6-та Міжнародна наукова-технічна конференція "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології"(СЕМСТ-6) (з виставкою розробок та промислових зразків сенсорів), Україна, Одеса, 29 вересня - 3 жовтня 2014 р. : тези доповідей : Конф. присвяч.150-й річниці Одеського нац. ун-ту ім. І.І. Мечникова і 100-річчю науки про напівпровідники / гол. ред.: В. А. Сминтина; редкол.: О. Є. Бєляєв [та ін.]; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова, Одеський нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. – Одеса : Астропринт, 2014. – 265 с.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/23361
dc.language.isoukuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.subjectхалькогенід цинкуuk
dc.subjectфотоелектричні властивостіuk
dc.subjectоптичні властивостіuk
dc.titleДослідження оптичних та фотоелектричних властивостей халькогенідів цинку, легованих Ті та Vuk
dc.typeArticleuk
Файли
Зібрання
Статті та доповіді ФМФІТ