Вплив атомів сірки на характеристики p-n переходів на основі GaAs як газових сенсорів
Альтернативна назва
Вантажиться...
Файли
Дата
2008
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
Досліджено пасивацію поверхні GaAs атомами сірки та вплив пасивації на характеристики р-n переходів на основі GaAs як газових сенсорів. Пасивація здійснювалась нанесенням на поверхню GaAs атомів сірки у водних розчинах Na2S* Н2О. Ступінь пасивації змінювався її тривалістю. Вимірювались стаціонарні вольтамперні характеристики (ВАХ) р-n переходів у сухому повітрі, в атмосфері, що містила насичені пари води і етилену над відповідними рідинами, а також у парах аміаку над його водними розчинами різних концентрацій. Аналізувалась кінетика прямого і зворотного струмів р-n переходів при зміні складу навколишньої атмосфери, а також вимірювалися спектри фотоструму.
Опис
Ключові слова
атоми сірки, газові сенсори, р-n переходи
Бібліографічний опис
Вплив атомів сірки на характеристики p-n переходів на основі GaAs як газових сенсорів // О. О. Птащенко, Ф. О. Птащенко, Н. В. Маслєєва, О. В. Богдан, В. В. Шугарова // 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3) (Одеса, 2–6 черв. 2008 р.). – Одеса : Астропринт, 2008. – С. 187.