Тензочутливість інверсійних мон-структур з нанорозмірним оксиднимшаром

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorФастиковський, Павло Петрович
dc.contributor.authorРоговська, Е. Т.
dc.contributor.authorFastykovsky, Pavel P.
dc.contributor.authorФастыковский, Павел Петрович
dc.date.accessioned2013-12-17T08:00:27Z
dc.date.available2013-12-17T08:00:27Z
dc.date.issued2008
dc.description.abstractСтворення сучасних датчиків механічних величин потребує розробки нових типів чутливих елементів, які б були сумісні з кремнієвою інтегральною технологією. Тому, дослідження структур метал - нанорозмірний оксид кремнію - кремній, які мають високу тензочутливість.uk
dc.identifier.citation3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/4089
dc.language.isoukuk
dc.subjectтензочутливістьuk
dc.subjectінверсійні мон-структуриuk
dc.subjectоксидний шарuk
dc.titleТензочутливість інверсійних мон-структур з нанорозмірним оксиднимшаромuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
202.pdf
Розмір:
39.26 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Статті та доповіді ФМФІТ