Вплив режимів фотохімічного поверхневого легування сіркою на чутливість p-n переходів на основі арсеніду галію до парів аміаку

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБодачевський, Вадим Сергійович
dc.date.accessioned2019-03-14T12:54:27Z
dc.date.available2019-03-14T12:54:27Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractДоведено, що чутливість р-n переходів на основі GаAs до парів аміаку, яка обумовлена утворенням поверхневого провідного каналу n-типу, зростає при збільшенні часу фотохімічного поверхневого легування сіркою і досягає максимальних значень при 40 с. Це можна пояснити зменшенням густини поверхневих станів за рахунок утворення зв'язків сірка - галій і збільшенням кількості вільних електронів у каналі. При подальшому збільшенні часу фотохімічного поверхневого легування газова чутливість р-n переходів зменшується, що можна пояснити утворенням на поверхні шару аморфної сірки, який екранує електричне поле адсорбованих іонів аміаку.uk
dc.identifier.citationБодачевський, В. С. Вплив режимів фотохімічного поверхневого легування сіркою на чутливість p-n переходів на основі арсеніду галію до парів аміаку = Effect of photochemical surface sulphide doping regime on the sensitivity of gallium arsenide p-n junctions to the ammonia vapors : дипломна робота магістра / В. С. Бодачевський; наук. кер. Н. В. Маслєєва; ОНУ ім. І.І. Мечникова, Ф-т математики, фізики та інформаційних технол., Каф. експериментальної фізики. – Одеса, 2018. – 37 с.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/22909
dc.language.isoukuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.subject104 фізика та астрономіяuk
dc.subjectгазові сенсориuk
dc.subjectхімічні сенсориuk
dc.subjectчутливість p-n переходівuk
dc.titleВплив режимів фотохімічного поверхневого легування сіркою на чутливість p-n переходів на основі арсеніду галію до парів аміакуuk
dc.titleEffect of photochemical surface sulphide doping regime on the sensitivity of gallium arsenide p-n junctions to the ammonia vapors
dc.typeDiplomasuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
Bodachevskyi V.S._1.doc
Розмір:
87.5 KB
Формат:
Microsoft Word
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Факультет математики, фізики та інформаційних технологій