Розподіл електронної густини в наношпарині напівпровідника
Вантажиться...
Файли
Дата
2010
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
У сучасних нанотехнологіях перспективним напрямком є використання
напівпровідникових матеріалів з нановключеннями в об’ємі . Сюди відносяться
проблеми визначення електронних параметрів поруватого кремнію та інших
напівпровідників. Існує багато публікацій щодо моделювання властивостей
квантово-розмірних ефектів в таких матеріалах та мається багато досліджень щодо
експериментів з визначення електронних властивостей цих матеріалів, зокрема
ширини забороненої зони. Складні квантово-механічні [1] моделі квантових точок,
квантових ниток і т. ін., поки-що не дають однозначної відповіді щодо визначення
зв’язку параметрів напівпровідникової матриці та її ефективних (осереднених за
обємом) властивостей при створенні нанонеоднорідностей в об’ємі.
Опис
Ключові слова
сучасні нанотехнології, моделювання властивостей квантово-розмірних ефектів, визначення ефективних електронних параметрів мікронеоднорідних напівпровідників з дефектами заповнення об’єму
Бібліографічний опис
"Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса) Тези доповідей, 28 черв.-2 лип., 2010 р. / "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса); гол. ред. В. А. Сминтина; ОНУ ім. І.І. Мечникова [та ін.]. – Одеса : Астропринт, 2010. – 354 с.