Застосування електронного опромінення у технології виготовлення кремнієвих високочутливих магнітотранзисторів
dc.contributor.author | Глауберман, Михайло Абович | |
dc.contributor.author | Єгоров, В. В. | |
dc.contributor.author | Каніщева, Н. А. | |
dc.contributor.author | Козел, В. В. | |
dc.contributor.author | Glauberman, Mykhailo A. | |
dc.contributor.author | Глауберман, Михаил Аббович | |
dc.date.accessioned | 2013-12-17T13:37:24Z | |
dc.date.available | 2013-12-17T13:37:24Z | |
dc.date.issued | 2008 | |
dc.description | 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с. | uk |
dc.description.abstract | Експериментально вивчено, що при опроміненні кремнієвих двохколекторних магнітотранзисторів (ДМТ) потоком електронів дозами Ф =1013-3*1013 см-2, енергією 2,5 МеВ з наступним відпаленням при температурі 480° С на протязі 2-3 годин спостерігається максимум магніточутливості. Поява максимуму магніточутливості пояснюється ростом рухливості та збільшенням часу життя неосновних інжектованих носіїв після відпалення. Така ситуація обумовлена різною природою радіаційних дефектів у базі ДМТ, домінуюча роль котрих залежить як від умов опромінення і домішкового складу, так і від наявності стоків для первинних структурних дефектів у матеріалі приладу. | uk |
dc.identifier.citation | Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem | uk |
dc.identifier.uri | https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/4115 | |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.subject | електронне опромінення | uk |
dc.subject | кремнієвий високочутливий магнітотранзистор | uk |
dc.title | Застосування електронного опромінення у технології виготовлення кремнієвих високочутливих магнітотранзисторів | uk |
dc.type | Article | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 1.71 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: