Binary oxides semiconductor transducers for H2S sensors

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorSmyntyna, Valentyn A.
dc.contributor.authorVashpanov Yu. A.
dc.contributor.authorHrinevych, Viktor S.
dc.date.accessioned2017-11-28T09:25:17Z
dc.date.available2017-11-28T09:25:17Z
dc.date.issued1997
dc.description.abstractThe physical processes of semiconductor and heavy metals oxides sensors on H2S are investigated and possible physical mechanisms of gas sensitivity in the atmosphere of air and nitrogen are considered. Mechanism of adsorbtive-desorbtive sensitivity of heterostuctures to H 2S is connected with conductivity variation caused by the hydrogen atoms diffusion to the boundaries.uk
dc.identifier.citationUROSENSORS XI. Warsaw (Poland), September 21-24, 1997uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/11570
dc.language.isoenuk
dc.subjectphysical processesuk
dc.subjectoxides sensorsuk
dc.subjectphysical mechanismsuk
dc.titleBinary oxides semiconductor transducers for H2S sensorsuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
391-394.pdf
Розмір:
147.01 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Статті та доповіді ФМФІТ