Вплив структури P-N переходів на їх характеристики як газових сенсорів

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.contributor.authorПтащенко, Ф. О.
dc.contributor.authorШугарова, В. В.
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.date.accessioned2010-09-24T11:55:39Z
dc.date.available2010-09-24T11:55:39Z
dc.date.issued2010
dc.descriptionСенсорна електронiка та мiкросистемнi технологiї (СЕМСТ-4) = SENSORS ELECTRONICS AND MICROSYSTEMS TECHNOLOGY” ) = (SEMST-4) : 4- та Мiжнар. наук.-техн. конф., 28 червня - 2 липня 2010 р.; Одеса: тези доповідей / НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова, ОНУ iм. I. I. Мечникова, Українське фізичне товариство [та ін.]. – Одеса: Астропринт, 2010. – укр., рос., англ.uk
dc.identifier.citationСенсорна електронiка та мiкросистемнi технологiї (СЕМСТ-4) = SENSORS ELECTRONICS AND MICROSYSTEMS TECHNOLOGY” ) = (SEMST-4)uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/559
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseriesМiжнар. наук.-техн. конф.;С. 72.
dc.titleВплив структури P-N переходів на їх характеристики як газових сенсорівuk
dc.typeThesisuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
СЕМСТ-4 тезисы_72.pdf
Розмір:
44.79 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Статті та доповіді ФМФІТ