Вплив режимів сульфідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі арсеніду галію

dc.contributor.authorМатреницька, Юлія Борисівна
dc.date.accessioned2022-04-11T09:42:55Z
dc.date.available2022-04-11T09:42:55Z
dc.date.issued2021
dc.description.abstractСульфідна обробка призводить до зменшення щільності поверхневих станів напівпровідників групи А IIIВ V а також суттєво зменшує швидкість поверхневої рекомбінації. Це супроводжується покращенням багатьох фізико – хімічних властивостей GaAs та приладів на його основі. Зокрема, спостерігалося зменшення прямих і зворотних струмів діодів у предпробійній області, збільшувалися коефіцієнти підсилення біполярних транзисторів, зменшувався поріг лазерної генерації, покращувалися характеристики сонячних елементів. В той же час проведені дослідження не носили систематичний характер. Залишається невідомим вплив різних режимів сульфідної обробки на електричні і фотоелектричні характеристики GaAs.uk_UA
dc.identifier.citationМатреницька Ю. Б. Вплив режимів сульфідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі арсеніду галію : дипломна робота магістра. – Одеса, 2021. – 34 с.uk_UA
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/32740
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk_UA
dc.subject104 фізика та астрономіяuk_UA
dc.subjectсульфідна обробкаuk_UA
dc.subjectспектри фотоструму p-n переходівuk_UA
dc.subjectарсенід галіюuk_UA
dc.titleВплив режимів сульфідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі арсеніду галіюuk_UA
dc.title.alternativeEffect of sulphide treatment on the photocurrent spectra of gallium arsenide p-n junctionsuk_UA
dc.typeDiplomasuk_UA
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
104_Matrenytska Yuliia Borysivna.pdf
Розмір:
1.12 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: