Вплив обробки в рзчині Na2S на поверхневий струм в P-N переходах на оcнові GaAs
dc.contributor.author | Птащенко, Олександр Олександрович | |
dc.contributor.author | Птащенко, Ф. О. | |
dc.contributor.author | Дмитрук, М. Л. | |
dc.contributor.author | Богдан, О. В. | |
dc.contributor.author | Гільмутдінова, В. Р. | |
dc.contributor.author | Маслєєва, Наталія Володимирівна | |
dc.contributor.author | Птащенко, Александр Александрович | |
dc.contributor.author | Ptashchenko, Oleksandr O. | |
dc.date.accessioned | 2017-10-27T12:15:50Z | |
dc.date.available | 2017-10-27T12:15:50Z | |
dc.date.issued | 2016 | |
dc.description.abstract | P-n переходи на основі GaAs перспективних для розробки хімічних сенсорів,оскільки вони мають суттєво нижчий поріг чутливості до парів NH3, ніж кремнієві p-n переходи, мембрани на основі поризтого кремнію та кремнієвих нанодротів. Легування атомами сірки із водного розчину Na2S підвищує поверхневий струм у p-n переходах на основі GaAs, обумовлений абсорцією парів NH3 та води. метою данної роботи було встановлення механізму вказанного ефекту та оптимізація параметрів газового сенсора. | uk |
dc.identifier.citation | 7-ма Міжнародна наукова-технічна конференція «Сенсорна електроніка та мікросистемні технології» (СЕМСТ-7) (з виставкою розробок та промислових зразків сенсорів), (Україна, Одеса, 30 трав. – 3 черв. 2016 р.) : тези доп. / МОН України, Від-ня фізики і астрономії НАН України, Наук. рада з проблем «Фізика напівпровідників та напівпровідникові пристрої» НАН України, Укр. фіз. т-во, Акад. наук вищої школи України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова, Міжвідомчий наук.-навч. й фіз.-тех. центр МОН і НАН України. – Одеса : Астропринт, 2016. | uk |
dc.identifier.uri | https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/11212 | |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | Одеський національний університет імені І. І. Мечникова | uk |
dc.subject | розчин Na2S | uk |
dc.subject | P-N переходи на оcнові GaAs | uk |
dc.subject | GaAs | uk |
dc.title | Вплив обробки в рзчині Na2S на поверхневий струм в P-N переходах на оcнові GaAs | uk |
dc.type | Other | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 1.71 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: