Пленки карбида кремния

Ескіз недоступний
Дата
2007
Автори
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Естественный SiC впервые был обнаружен как материал космического происхождения в 1905 г. французским ученым минералогии Moissan [1]. Поэтому в ювелирной промышленности его до сих пор называют мауссанитом и оценивают его также высоко, как и алмазы. Искусственный SiC впервые исследовал Jons Jacob Berzelins (Берцелиус) в 1824 г. [2]. A.H. Cowles и E.M. Cowles [3] заявили электрическую плавильную печь, которую в 1892 году Aчесон [4] использовал для получения «carborundum» карборунда или силицида углерода, как он его называл. Карборунд использовался как абразивный материал.
ДОСТУП ДО ДОКУМЕНТУ ТІЛЬКИ В ЕЛЕКТРОННИХ ЧИТАЛЬНИХ ЗАЛАХ БІБЛІОТЕКИ. ДЛЯ ДОСТУПУ НАТИСНІТЬ ПОСИЛАННЯ ВНИЗУ
Опис
Ключові слова
SiC, оптоэлектроника, высокотемпературная техника, рост SiC, рост пленок, получение пленок SiC плазмохимическим методом, получение пленок SiC методом лазерного напыления, катодный метод, магнетронный метод
Бібліографічний опис
Власкина, С. И. Пленки карбида кремния / С. И. Власкина, Г. С. Свечников, В. А. Смынтына. – Одесса : Астропринт, 2007. – 103 с.
DOI
ORCID:
УДК
URI
http://opac.lib.onu/pdf/vlaskina_plenki.pdf
Зібрання
Монографії ФМФІТ