Применение неидеальных гетероструктур для создания сенсоров изображения, работающих в оптическом и рентгеновском диапазонах
Альтернативна назва
Вантажиться...
Файли
Дата
2004
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
Некоторые специфические свойства неидеальных гетеропереходов могут служить основой для создания фотоэлектрических приборов специального назначения, например, сенсора изображений. Такое использование гетероперехода CdS-Cu2S связано с эффектом влияния коротковолновой подсветки на ток короткого замыкания,генерированный длинноволновым светом.При освещении гетероперехода светом из области собственного или примесного поглощения широкозонного CdS,в котором сосредоточена вся ОПЗ,фотогенерированные дырки, захватываясь на присутствующие в области пространственного заряда ловушки,уменьшают тем самым ширину этой области и сильно, изменяют форму потенциального барьера.Это приводит к резкому уменьшению на гетерогранице рекомбинационных потерь носителей,генерированных в Cu2S.Таким образом,с помощью коротковолновой подсветки малой интенсивности можно управлять большим потоком носителей,генерированных в Cu2S более длинноволновым светом.
Опис
Ключові слова
Бібліографічний опис
Применение неидеальных гетероструктур для создания сенсоров изображения, работающих в оптическом и рентгеновском диапазонах / В. А. Смынтына, В. А. Борщак, Н. П. Затовская, М. И. Куталова, А. П. Балабан // Сенсорна електронiка та мiкросистемнi технологiї (СЕМСТ-1) : мiжнар. наук.-техн. конф.(1;2004;Одеса) : тези доп. / гол. ред. В. А. Сминтина ; НАН України. – Одеса : Астропринт, 2004. – С. 7–8.