Влияние наноразмерных неоднородностей на релаксационно-накопительные процессы в фотогетероструктурах

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorТерлецкая, Л. Л.
dc.contributor.authorЧернова, Е. А.
dc.contributor.authorКопыт, Н. Х.
dc.date.accessioned2013-12-17T12:10:09Z
dc.date.available2013-12-17T12:10:09Z
dc.date.issued2008
dc.description3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.uk
dc.description.abstractВ основу создания ряда полупроводниковых приборов заложен принцип действия, который позволяет не только избежать негативного влияния неоднородностей в полупроводниковых материалах на основе соединений А3В5, но и использовать их вклад в функциональном действии приборных структур. Процессы, происходящие в таких приборах, основаны на эффектах накопления и запоминания информации на границах раздела неоднородностей.uk
dc.identifier.citation3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/4112
dc.language.isoruuk
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;С. 330
dc.subjectнаноразмерные неоднородностиuk
dc.subjectрелаксационно-накопительные процессыuk
dc.subjectфотогетероструктурыuk
dc.titleВлияние наноразмерных неоднородностей на релаксационно-накопительные процессы в фотогетероструктурахuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
330.pdf
Розмір:
40.18 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Статті та доповіді ФМФІТ