Перегляд за Автор "Yatsunskiy, I. R."

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Документ
    CURRENT FLOW PROCESS SIMULATION IN METAL-SILICON STRUCTURES
    (Астропринт, 2006) Kulinich, O. A.; Smyntyna, Valentyn A.; Glauberman, Mykhailo A.; Chemeresiuk, Heorhii H.; Yatsunskiy, I. R.; Кулініч, О. А.; Сминтина, Валентин Андрійович; Глауберман, Михайло Абович; Чемересюк, Георгій Гаврилович; Яцунський, Ігор Ростиславович; Кулинич, О. А.; Смынтына, Валентин Андреевич; Глауберман, Михаил Аббович; Чемересюк, Георгий Гаврилович; Яцунский, Игорь Ростиславович
    The model of current flow process simulation in metal-silicon structures with used modern method of investigation within the limits of thermo-electric, drift-diffusion and tunnel-resonant theories and it bases on barrier properties of structural defects. В роботі на основі проведених досліджень за допомогою сучасних методів запропонована фізико-математична модель струмопереносу в структурах метал-кремній в межах термоелектронної, дрейфово-дифузіоної та тунельно- резонансних теорій і основана на бар'єрних властивостях структурних дефектів. В данной роботе на основе исследований, проведенных с помощью современных методов, предложена физико- математическая модель токопереноса в структурах металл-кремний в рамках термоэлектронной, дрейфово-дифузио- ной и туннельно-резонансных теорий и она основана на барьерных свойствах структурных дефектов.
  • Ескіз
    Документ
    INVESTIGATION OF NANOSTRUCTURED SILICON SURFACES USING FRACTAL ANALYSIS
    (Astroprint, 2011) Smyntyna, Valentyn A.; Kulinich, O. A.; Yatsunskiy, I. R.; Marchuk, I. A.; Pavlenko, Mykola V.; Смынтына, Валентин Андреевич; Кулинич, О. А.; Яцунский, Игорь Ростиславович; Марчук, И. А.; Павленко, Николай Николаевич; Сминтина, Валентин Андрійович; Кулініч, О. А.; Яцунський, Ігор Ростиславович; Марчук, І. О.; Павленко, Микола Миколайович
    Fractal analysis was applied to images of nanostructured silicon surfaces which were acquired with a scanning electron microscope.A fractal model describing nanostructured silicon surfaces morphology is elaborated.It were obtained the numerical results for the fractal dimensions for 2 samples with different nanostructured shapes.
  • Ескіз
    Документ
    THE STRUCTURE INVESTIGATION OF NEAR-SURFACE LAYERS IN SILICON – DIOXIDE SILICON SYSTEMS
    (Астропринт, 2008) Smyntyna, Valentyn A.; Kulinich, O. A.; Glauberman, Mykhailo A.; Chemeresiuk, Heorhii H.; Yatsunskiy, I. R.; Смынтына, Валентин Андреевич; Кулинич, О. А.; Глауберман, Михаил Аббович; Чемересюк, Георгий Гаврилович; Яцунский, Игорь Ростиславович; Сминтина, Валентин Андрійович; Кулініч, О. А.; Глауберман, Михайло Абович; Чемересюк, Георгій Гаврилович; Яцунський, Ігор Ростиславович
    The near-surface silicon layers in silicon – dioxide silicon systems with used modern method of research are investigated. It is shown that these layers have compound structure and their parameters depend on oxidation and initial silicon parameters. В данной работе на основе проведенных с помощью современных методов исследования показана сложная структура приповерхностных слоев кремния в системах кремний – диоксид кремния. Выявлены зависимости параметров этих слоев от условия оксидирования и характеристик первоначального кремния. В роботі на основі проведених за допомогою сучасних методів досліджень приповерхневих шарів кремнію в системах кремній – діоксид кремнію показано їх складна структура. Показано залежність розмірів ціх шарів від параметрів окислення та характеристик кремнію.