Перегляд за Автор "Vikulin, Ivan M."

Зараз показуємо 1 - 7 з 7
  • Ескіз
    Документ
    INFLUENCE OF THE ELECTRON IRRADIATION ON THE CHARACTERISTICS OF p-InSb INJECTION PHOTODIODES
    (Астропринт, 2006) Kurmashev, Shamil D.; Vikulin, Ivan M.; Nikiforov, S. N.; Курмашев, Шаміль Джамашевич; Вікулін, Іван Михайлович; Никифоров, С. Н.; Викулин, Иван Михайлович; Никифоров, С. Н.
    The characteristics of infrared photosensitivity for injection photodiodes on p-InSb base were investigated. It is shown that as a result of electron irradiation at electron energy E = 225 MeV and integral dose Ô = 1014 sm-2 the carrier lifetime practically does not change. The change of diodes parameters corresponds to the scheme for the formation of Frenkel defects in p-InSb: shallow donors-interstitial site In and Sb, shallow acceptor-Sb-vacancy, deep donor- In-vacancy. The threshold beam of light-irradiation for the diodes practically does not change. Досліджено характеристики інфрачервоної фоточутливості інжекційних фотодіодів на основі p-InSb. Показано, що в результаті електронного опромінення при енергії електронів E = 225 МеВ і інтегральній дозі Ф = 1014 см-2 час життя електронів практично не міняється. Зміна параметрів ІФД відповідає схемі утворення дефектів Френкеля в p-InSb: дрібні донори-міжвузельні In і Sb, дрібний акцептор-вакансія Sb, глибокий донор-вакансія In. Поро- говий потік для ІФД у результаті опромінення практично не змінюється. Исследованы характеристики инфракрасной фоточувствительности инжекционных фотодиодов на основе p-InSb. Показано, что в результате электронного облучения при энергии электронов E = 225 МэВ и интегральной дозе Ф = 1014 см-2 время жизни электронов практически не меняется. Изменение параметров ИФД соответствует схеме образования дефектов Френкеля в p-InSb: мелкие доноры -межузельные In и Sb, мелкий акцептор-вакансия Sb, глубокий донор-вакансия In. Пороговый поток для ИФД в результате облучения практически не изменяется.
  • Ескіз
    Документ
    MIS-phototransistor with p-n-…-p-n-structure as a gate
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2005) Vikulin, Ivan M.; Kurmashev, Sh. D.; Mingalev, V. A.; Tumanov, U. G.; Вікулін, Іван Михайлович; Курмашов, Ш. Д.; Мінгалєв, В. А.; Туманів, Ю. Г.; Викулин, Иван Михайлович; Курмашев, Ш. Д.; Мингалев, В. А.; Туманов, Ю. Г.
    The physical mechanisms of the operation of the field-effect MIS-phototransistor with p-n- …-p-n — structure as the gate is considered. The photo-voltage, which is raised with illumination, operates by current in the channel of the transistor. The photosensitivity of such transistors better than that of the photodetector with absorption of light only in the channel. The utilization as the gate of semiconductor with greater wide band gap than material of channel is extended the spectral region of sensitivity in ultraviolet. Розглянуто фізичні механізми дії польового МДН фототранзистора з p-n-…-p-n-структуроюв якості затвору. Виникаюча при освітленні затвора фотонапруга управляє струмом у каналі транзистора. Фоточутливість такого приладу набагато вища, ніж у фотоприймача з однорідною структурою затвора. Використання в якості затвора напівпровідникової p-n-…-p-n-структури з більшою шириною забороненої зони, ніж матеріалу каналу,розширює спектральний діапазон чутливості в УФ-області. рассмотрены физические механизмы действия полевого МДП фототранзистора с p-n-…-p-n-структурой в качестве затвора. Возникающее при освещении затвора фотонапряжение управляет током в канале транзистора. Фоточувствительность такого прибора намного выше,чем у фотопремника с однородной структурой затвора. Использование в качестве затвора полупроводниковой p-n-…-p-n-структуры с большей шириной запрещенной зоны, чем материала канала, расширяет спектральный диапазон чувствительности в УФ области.
  • Ескіз
    Документ
    PHOTODETECTOR ON THE BASE OF UNI-JUNCTION TRANSISTOR AND PHOTO-DIODE
    (Астропринт, 2008) Vikulin, Ivan M.; Kurmashev, Shamil D.; Nikiforov, S. N.; Panfilov, M. I.; Викулин, Иван Михайлович; Курмашев, Шамиль Джамашевич; Никифоров, С. Н.; Панфилов, М. И.; Вікулін, Іван Михайлович; Курмашев, Шаміль Джамашевич; Никифоров, С. Н.; Панфілов, М. І.
    The generators on the base of the uni-junction photo-transistor (UPhT) are used as the sensor-photo-detectors with the frequency output. The semiconductor crystal of the n-type conductivity contains two Ohmic base contacts of the n+-type conductivity as well as the injection emitter in a form of p-n-junction (the region of the p+-type) with the electric contacts. The possibility to raise the linearity of the output signal and enlarge the sensitivity of the sensor on the base of UPhT was proposed through introduction of additional n+-region into p+-emitter. Генераторы на основе однопереходных фототранзисторов (ОФТ) используются в качестве сенсоров–фотоприемников с частотным выходом. Полупроводниковый кристалл n-типа проводимости содержит два омических базовых контакта n+- типа проводимости, а также инжектирующий эмиттерный p-n–переход (область p+-типа) с электрическими выводами. Показана возможность повысить линейность выходного сигнала и увеличить чувствительность датчика на основе однопереходного фототранзистора введением дополнительной n+–области в p+-эмиттер. Генератори на базі одноперехідних фототранзисторів (ОФТ) використовуються в якості сенсорів-фотоприймачів з частотним вихідом. Напівпровідниковий кристалл n-типу провідності містить два омічних базових контакти n+-типу провідності, а також інжектуючий емітерний p-n–перехід (область p+-типу) з електричними виводами. Показана можливість підвищення лінійністі вихідного сигналу та зростання чутливості датчика на базі ОФТ шляхом введення додаткової n+-області в p+- емітер.
  • Ескіз
    Документ
    Photodetectors with frequency output on the basi s of unijunction and field-effect phototransistors
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2001) Vikulin, Ivan M.; Vikulina, L. F.; Kurmashev, Shamil D.
    The construction of photodetector representing the pulsing oscillator designed which frequency depends on quantity of light stream, as the sensing device of generator — the silicon chip — consisting of unijunction and field-effect phototransistors is used.
  • Ескіз
    Документ
    RADIATION IMMUNITY OF THE PLANAR n-p-n-TRANSISTORS
    (Астропринт, 2009) Vikulin, Ivan M.; Kurmashev, Shamil D.; Markolenko, P. YU.; Gechev, P. P.; Викулин, Иван Михайлович; Курмашев, Шамиль Джамашевич; Марколенко, П. Ю.; Гечев, П. П.; Вікулін, Іван Михайлович; Курмашев, Шаміль Джамашевич; Марколенко, П. Ю.; Гечев, П. П.
    Influence of streams of electrons, neutrons and !–quantum is investigational on the amplification factor of bipolar planar-epitaxial transistors. It is shown that a preliminary thermal-electric-train allows to increase of radiation immunity in 2–3 times. Исследовалось влияние потоков электронов, нейтронов и !-квантов на коэффициент усиления биполярных планарноэпитаксиальных транзисторов. Показано, что предварительная электротермотренировка позволяет увеличить радиационную устойчивость приборов в 2 раза. Досліджувався вплив потоків електронів, нейтронів і ! –квантів на коефіцієнт підсилення біполярних планарно-епітакс ійних транзисторів. Показано, що попереднє електротермотренування дозволяє підвищити радіаційну стійкість приладів в 2 рази.
  • Ескіз
    Документ
    Sensitivity of Disk Shaped Magnetodiodes
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2005) Kurmashev, Shamil D.; Vikulin, Ivan M.
    It is shown the change of the neutral contact in Corbino disk by the injection contact brings to the increase of magnetosesitivity in diode structures.
  • Ескіз
    Документ
    SINGLE JUNCTION TRANSISTORS CONTROLLED BY LIGHT AND MAGNETIC FIELD
    (Астропринт, 2007) Vikulin, Ivan M.; Vikulina, L. F.; Kurmashev, Shamil D.; Mingaljov, V. A.; Викулин, Иван Михайлович; Викулина, Л. Ф.; Курмашев, Шаміль Джамашевич; Мингалев, В. А.; Вікулін, Іван Михайлович; Вікуліна, Л. Ф.; Мінгалев, В. А.
    Influence of magnetic field and light on current flow in silicon unijunction transistor was investigated. It is shown, magnetic field with induction B = 1T and radiation from GaAs light-emitting diode causes to the identical change of the base resistance and the current. Исследовалось влияние магнитного поля и света на протекание тока в кремниевом однопереходном транзисторе. Показано, что магнитное поле с индукцией до 1 Тл и излучение от арсенидгаллиевого светодиода приводят к одинаковому изменению сопротивления базы и тока. Вивчався вплив магнітного поля та світла на протікання струму у кремнієвому одноперехідному транзисторі. Показано, що магнітне поле з індукцією до 1Тл та випромінювання від арсенгалієвого світлодіоду приводять до однакових змін опору бази та струму.