Перегляд за Автор "Vikulin, I. V."

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
  • Ескіз
    Документ
    ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ НА ОСНОВЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО И ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРОВ ПРИ РАДИАЦИОННОМ ВОЗДЕЙСТВИИ
    (Астропринт, 2009) Викулин, И. М.; Курмашев, Ш. Д.; Майстренко, И. Е.; Марколенко, П. Ю.; Вікулін, І. М.; Курмашев, Ш. Д.; Майстренко, І. Е.; Марколенко, П.Ю.; Vikulin, I. V.; Kurmashev, Sh. D.; Maistrenko, A. E.; Markolenko, P. Yu.
    Разработана схема датчика температуры на основе генератора на однопереходном транзисторе с двумя токозадающими полевыми транзисторами, частота генерации которого линейно растет с увеличением температуры. Экспериментально исследовано воздействие радиации на его работоспособность. Розроблена схема датчика температури на основі генератора на одноперехідному транзисторі з двома струмозадаючими польовими транзисторами, частота генерації якого лінійно зростає із збільшенням температури. Експериментально досліджена дія радіації на його працездатність. The chart of sensor of temperature is developed on the basis of generator on an unijunction transistor with two current-lead fields transistors, frequency of generation of which linear grows with the increase of temperature. Influence of radiation is experimentally investigational on his capacity.