Перегляд за Автор "Shugarova, V. V."

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    EFFECT OF SULPHUR ATOMS ON SURFACE CURRENT IN GAAS P-N JUNCTIONS
    (Астропринт, 2008) Ptashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Masleyeva, N. V.; Bogdan, O. V.; Shugarova, V. V.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Маслєєва, Наталя Володимирівна; Богдан, О. В.; Шугарова, В. В.; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Федор Александрович; Маслеева, Наталья Владимировна; Богдан, О. В.; Шугарова, В. В.
    Sulphur atoms passivation of GaAs surface and its influence on I-V characteristics of forward and reverse currents, photocurrent spectrum, and sensitivity of GaAs p-n structures as gas sensors were studied. The passivation reduces the excess forward current and reverse current in p-n junctions, enhances the photosensitivity in the spectral region of strong absorption, substantially increases the sensitivity to ammonia vapors. All these effects are explained, taking into account lowering of the surface states density as a result of sulphur atoms deposition. Досліджено пасивацію поверхні GaAs атомами сірки та її вплив на ВАХ прямого і зворотного струмів, спектр фотоструму і чутливість p-n переходів на основі GaAs як газових сенсорів. Пасивація зменшує надлишковий прямий струм та зворотний струм у p-n переходах, підвищує фоточутливість у спектральній області сильного поглинання, суттєво збільшує чутливість до парів аміаку. Всі ці явища пояснюються зменшенням щільності поверхневих станів у результаті нанесення на поверхню атомів сірки. Исследованы пассивация поверхности GaAs атомами серы и ее влияние на ВАХ прямого и обратного токов, спектр фототока и чувствительность p-n переходов на основе GaAs как газовых сенсоров. Пассивация уменьшает избыточный прямой ток и обратный ток в p-n переходах, повышает фоточувствительность в спектральной области сильного поглощения, существенно повышает чувствительность к парам аммиака. Все эти явления объясняются уменьшением плотности поверхностных состояний в результате нанесения на поверхность атомов серы.
  • Ескіз
    Документ
    TUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs–AlGaAs P-N JUNCTIONS, DUE TO AMMONIA MOLECULES ADSORPTION
    (Астропринт, 2009) Ptashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Shugarova, V. V.; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Федор Александрович; Шугарова, В. В.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Шугарова, В. В.
    The influence of ammonia vapors on I-V characteristics of forward and reverse currents and kinetics of surface currents in GaAs- AlGaAs p-n junctions with degenerated p+ region was studied. It is shown that ammonia molecules adsorption, under sufficiently high NH3 partial pressure, forms in p-AlGaAs a surface conducting channel with degenerated electrons. P-n junctions with degenerated p+ region have higher gas sensitivity at reverse bias than at forward bias. This effect is explained by tunnel injection of electrons into the conducting channel from the degenerated p+ region at a reverse bias. The rise time of the surface current in an ammonia vapor atmosphere of ~20 s is due to filling up deep electron traps. Исследовано влияние паров аммиака на ВАХ прямого и обратного токов и на кинетику поверхностных токов в p-n переходах на основе GaAs-AlGaAs с вырожденной p+ областью. Показано, что адсорбция молекул аммиака при достаточно высоком парциальном давлении NH3 создает в p-AlGaAs поверхностный проводящий канал с вырожденными электронами. P-n переходы с вырожденной p+ областью имеют более высокую газовую чувствительность при обратном смещении, чем при прямом смещении. Этот эффект объясняется туннельной инжекцией электронов в проводящий канал из вырожденной p+ области при обратном смещении. Время нарастания поверхностного тока ~20 с в парах аммиака связано с заполнением глубоких электронных ловушек. Досліджено вплив парів аміаку на ВАХ прямого і зворотного струмів та на кінетику поверхневих струмів у p-n переходах на основі GaAs-AlGaAs з виродженою p+ областю. Показано, що адсорбція молекул аміаку при достатньо високому парціальному тиску NH3 створює в p-AlGaAs поверхневий провідний канал з виродженими електронами. P-n переходи з виродженою p+ областю мають вищу газову чутливість при зворотному зміщенні, ніж при прямому зміщенні. Цей ефект пояснюється тунельною інжекцією електронів в провідний канал із виродженої p+ області при зворотному зміщенні. Час наростання поверхневого струму ~20 с в парах аміаку пов’язаний із заповненням глибоких електронних пасток.