Перегляд за Автор "Pavlov, V. V."

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    Electrical conductivity Of ZnSe : In Crystals, Obtained by free growth
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2004) Vaksman, Yurii F.; Nitsuk, Yurii A.; Pavlov, V. V.; Purtov, Yu. N.; Nasibov, A. S.; Shapkin, P. V.; Ваксман, Юрій Федорович; Ніцук, Юрій Андрійович
    The electrical conductivity of Z n S e :In crystals doped by indium du rin g growth and crystals subjected to diffusion doping by indium from a melt are investigated. It is shown th a t electrical conductivity of Z n S e :In crystals doped by indium during growth is controlled by donors In J,, In f 1- and com p en sa tin g acceptors — zinc vacancies, cen ters (VZnInZn). In crystals subjected to diffusion by indium from melt, electrical conductivity is controlled by shallow donors The an n ea lin g of Z n S e :In crystal in zinc melt gives the decrease in co ncentra tion of com p en sa tin g acceptors and increase of crystal conductivity.
  • Ескіз
    Документ
    Optical properties of ZnS single crystals doped with cobalt
    (Астропринт, 2007) Vaksman, Yurii F.; Nitsuk, Yurii A.; Pavlov, V. V.; Purtov, Yu. N.; Nasibov, A. S.; Shapkin, P. V.; Ваксман, Юрий Федорович; Ницук, Юрий Андреевич; Павлов, В. В.; Пуртов, Юрий Николаевич; Насибов, А. С.; Шапкин, П. В.; Ваксман, Юрій Федорович; Ніцук, Юрій Андрійович; Павлов, В. В.; Пуртов, Юрій Миколайович; Насібов, А. С.; Шапкін, П. В.
    ZnS:Co single crystals were obtained by diffusion-related doping with cobalt. An optical density spectra in the region of 4-0.38eV are investigated. It is established, that at cobalt doping of crystals, the absorption edge is displaced in lower energy region. Analogy of ZnS:Co and ZnTe:Co crystals optical absorption spectra is established. The investigated lines of ZnS:Co absorption are caused by electrons optical transitions from Co2+ ion basic condition level 4À2(F) on the excited states 4T1(P), 4T1(F) and 4T2(F) levels split with spin-orbit interaction. Монокристаллы ZnS:Cо получены методом диффузионного легирования кобальтом. Исследованы спектры оптической плотности в области 4-0.38эВ. Установлено, что при легировании кристаллов кобальтом край поглощения смещается в низкоэнергетическую область. Установлена аналогия спектров оптического поглощения кристаллов ZnS:Co и ZnTe:Co. Исследуемые линии поглощения ZnS:Co объясняются оптическими переходами электронов с уровня основного состояния 4А2(F) иона Co2+ на расщепленные спин-орбитальным взаимодействием уровни возбужденных состояний 4T1(P), 4T1(F) и 4T2(F). Монокристали ZnS:Cо отримані методом дифузійного легування кобальтом. Досліджено спектри оптичної густини в області 4-0.38еВ. Встановлено, що при легуванні кристалів кобальтом край поглинання зміщується в низькоенергетичну область. Встановлена аналогія спектрів оптичного поглинання кристалів ZnS:Co і ZnTe:Co. Досліджені лінії поглинання ZnS:Co пояснюються оптичними переходами електронів з рівня основного стану 4А2(F) іона Co2+ на розщеплені спін-орбітальною взаємодією рівні збуджених станів 4T1(P), 4T1(F) и 4T2(F).