Перегляд за Автор "Kurmashev, Shamil D."

Зараз показуємо 1 - 10 з 10
  • Ескіз
    Документ
    FEATURES OF CO-OPERATION OF COMPONENTS IN HETERO-PHASE SYSTEMS OF “GLASS- Pb2Ru2O7-x, RuO2”
    (Астропринт, 2010) Kurmashev, Shamil D.; Buhaiova, T. M.; Lavrenova, T. I.; Sadova, N. N.; Курмашев, Шамиль Джамашевич; Бугаева, Т. Н.; Лавренова, Т. И.; Садова, Н. Н.
    Resistance pastes on basis RuO2 differ by a relative chemical inactivity Large maintenance of oxide of the coniferous forest and high acidity of glasses, is principal reason of chemical decomposition of Pb2Ru2O7-x and formation of dioxide of ruthenium at burning of the hetero-phase systems As the physical mechanism of current-conduction the transfer of electrons is credible between separate conducting corns by means of thermic-emission emission supposing the presence of activating process. Резистивные пасты на основе RuO2 отличаются относительной химической инертностью. Большое содержание оксида бора и высокая кислотность стёкол — основная причина химического разложения рутенита свинца и образования диоксида рутенита при обжиге гетерофазных систем. В качестве физического механизма токопротекания вероятен перенос электронов между отдельными проводящими зёрнами посредством термоэлектронной эмиссии, предполагающей наличие активационного процесса. Также наблюдался механизм туннелирования электронов. Резистивні пасти на основі RuO2 характеризуються відносною хімічною інертністю. Великий склад оксиду бора і висока кислотність скла — основна причина хімічного розкладу рутеніта свинця і утворення діоксида рутеніта при обжигу гетерофазних систем. В якості фізичного механізму струмопротікання вирогіден перенос электронів проміж окремими провідними зернами за допомогою термоелектронної емісії, при наявності активаційного процесу. Також спостерігався механізм тунелювання электронів.
  • Ескіз
    Документ
    INFLUENCE OF THE ELECTRON IRRADIATION ON THE CHARACTERISTICS OF p-InSb INJECTION PHOTODIODES
    (Астропринт, 2006) Kurmashev, Shamil D.; Vikulin, Ivan M.; Nikiforov, S. N.; Курмашев, Шаміль Джамашевич; Вікулін, Іван Михайлович; Никифоров, С. Н.; Викулин, Иван Михайлович; Никифоров, С. Н.
    The characteristics of infrared photosensitivity for injection photodiodes on p-InSb base were investigated. It is shown that as a result of electron irradiation at electron energy E = 225 MeV and integral dose Ô = 1014 sm-2 the carrier lifetime practically does not change. The change of diodes parameters corresponds to the scheme for the formation of Frenkel defects in p-InSb: shallow donors-interstitial site In and Sb, shallow acceptor-Sb-vacancy, deep donor- In-vacancy. The threshold beam of light-irradiation for the diodes practically does not change. Досліджено характеристики інфрачервоної фоточутливості інжекційних фотодіодів на основі p-InSb. Показано, що в результаті електронного опромінення при енергії електронів E = 225 МеВ і інтегральній дозі Ф = 1014 см-2 час життя електронів практично не міняється. Зміна параметрів ІФД відповідає схемі утворення дефектів Френкеля в p-InSb: дрібні донори-міжвузельні In і Sb, дрібний акцептор-вакансія Sb, глибокий донор-вакансія In. Поро- говий потік для ІФД у результаті опромінення практично не змінюється. Исследованы характеристики инфракрасной фоточувствительности инжекционных фотодиодов на основе p-InSb. Показано, что в результате электронного облучения при энергии электронов E = 225 МэВ и интегральной дозе Ф = 1014 см-2 время жизни электронов практически не меняется. Изменение параметров ИФД соответствует схеме образования дефектов Френкеля в p-InSb: мелкие доноры -межузельные In и Sb, мелкий акцептор-вакансия Sb, глубокий донор-вакансия In. Пороговый поток для ИФД в результате облучения практически не изменяется.
  • Ескіз
    Документ
    INFLUENCE OF THE GLASS PHASE STRUCTURE ON THE RESISTANCE OF THE LAYERS IN SYSTEM “GLASS-RuO2”
    (Астропринт, 2009) Kurmashev, Shamil D.; Buhaiova, T. M.; Lavrenova, T. I.; Sadova, N. N.; Курмашев, Шамиль Джамашевич; Бугаева, Т. Н.; Лавренова, Т. И.; Садова, Н. Н.; Курмашев, Шаміль Джамашевич; Бугайова, Т. М.; Лавренова, Т. І.; Садова, Н. Н.
    Influence of quantitative and qualitive (phase and granule-metric) composition of initial components on the electro physical properties of thick films on the base of the systems “glass — clusters RuO2, Bi2Ru2O7” was investigated. At the fixed values of functional material content mf (RuO2) and glass phase mg, the increase of mass of crystalline phase mcr leads to decrease of conductivity, therefore to the increase of resistance of resistive layer. Исследовано влияние количественного и качественного (фазовый и гранулометрический) состава исходных компонентов на электрофизические параметры толстых пленок на базе систем “стекло — кластеры RuO2, Bi2Ru2O7”. При заданных величинах содержания функционального материала (RuO2) и стеклянной фазы увеличение массы кристаллической фазы приводит к увеличению сопротивления резистивной пленки. Досліджено вплив кількісного та якісного (фазовий і гранулометричний) складу вихідних компонентів на електрофізичн і параметри товстих плівок на базі систем “скло — кластери RuO2, Bi2Ru2O7”. При заданих величинах вмісту функціонального матеріалу (RuO2) і скляної фази збільшення маси кристалічної фази призводить до зменшення величини провідності, тобто до збільшення опору резистивної плівки.
  • Ескіз
    Документ
    PHOTODETECTOR ON THE BASE OF UNI-JUNCTION TRANSISTOR AND PHOTO-DIODE
    (Астропринт, 2008) Vikulin, Ivan M.; Kurmashev, Shamil D.; Nikiforov, S. N.; Panfilov, M. I.; Викулин, Иван Михайлович; Курмашев, Шамиль Джамашевич; Никифоров, С. Н.; Панфилов, М. И.; Вікулін, Іван Михайлович; Курмашев, Шаміль Джамашевич; Никифоров, С. Н.; Панфілов, М. І.
    The generators on the base of the uni-junction photo-transistor (UPhT) are used as the sensor-photo-detectors with the frequency output. The semiconductor crystal of the n-type conductivity contains two Ohmic base contacts of the n+-type conductivity as well as the injection emitter in a form of p-n-junction (the region of the p+-type) with the electric contacts. The possibility to raise the linearity of the output signal and enlarge the sensitivity of the sensor on the base of UPhT was proposed through introduction of additional n+-region into p+-emitter. Генераторы на основе однопереходных фототранзисторов (ОФТ) используются в качестве сенсоров–фотоприемников с частотным выходом. Полупроводниковый кристалл n-типа проводимости содержит два омических базовых контакта n+- типа проводимости, а также инжектирующий эмиттерный p-n–переход (область p+-типа) с электрическими выводами. Показана возможность повысить линейность выходного сигнала и увеличить чувствительность датчика на основе однопереходного фототранзистора введением дополнительной n+–области в p+-эмиттер. Генератори на базі одноперехідних фототранзисторів (ОФТ) використовуються в якості сенсорів-фотоприймачів з частотним вихідом. Напівпровідниковий кристалл n-типу провідності містить два омічних базових контакти n+-типу провідності, а також інжектуючий емітерний p-n–перехід (область p+-типу) з електричними виводами. Показана можливість підвищення лінійністі вихідного сигналу та зростання чутливості датчика на базі ОФТ шляхом введення додаткової n+-області в p+- емітер.
  • Ескіз
    Документ
    Photodetectors with frequency output on the basi s of unijunction and field-effect phototransistors
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2001) Vikulin, Ivan M.; Vikulina, L. F.; Kurmashev, Shamil D.
    The construction of photodetector representing the pulsing oscillator designed which frequency depends on quantity of light stream, as the sensing device of generator — the silicon chip — consisting of unijunction and field-effect phototransistors is used.
  • Ескіз
    Документ
    Preparation of the LixNi1-xO-solution for gas Sensors
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2001) Kurmashev, Shamil D.; Sofronkov, A. N.; Gavdzik, A.; Gayda, S.
    The properties of metal-oxides, which are used as sensitive elements for gases are discussed. The systems of metals with variable valence have been got on the base of the given metals acetates and acetates of metal of 1A group are shown.
  • Ескіз
    Документ
    RADIATION IMMUNITY OF THE PLANAR n-p-n-TRANSISTORS
    (Астропринт, 2009) Vikulin, Ivan M.; Kurmashev, Shamil D.; Markolenko, P. YU.; Gechev, P. P.; Викулин, Иван Михайлович; Курмашев, Шамиль Джамашевич; Марколенко, П. Ю.; Гечев, П. П.; Вікулін, Іван Михайлович; Курмашев, Шаміль Джамашевич; Марколенко, П. Ю.; Гечев, П. П.
    Influence of streams of electrons, neutrons and !–quantum is investigational on the amplification factor of bipolar planar-epitaxial transistors. It is shown that a preliminary thermal-electric-train allows to increase of radiation immunity in 2–3 times. Исследовалось влияние потоков электронов, нейтронов и !-квантов на коэффициент усиления биполярных планарноэпитаксиальных транзисторов. Показано, что предварительная электротермотренировка позволяет увеличить радиационную устойчивость приборов в 2 раза. Досліджувався вплив потоків електронів, нейтронів і ! –квантів на коефіцієнт підсилення біполярних планарно-епітакс ійних транзисторів. Показано, що попереднє електротермотренування дозволяє підвищити радіаційну стійкість приладів в 2 рази.
  • Ескіз
    Документ
    Sensitivity of Disk Shaped Magnetodiodes
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2005) Kurmashev, Shamil D.; Vikulin, Ivan M.
    It is shown the change of the neutral contact in Corbino disk by the injection contact brings to the increase of magnetosesitivity in diode structures.
  • Ескіз
    Документ
    SINGLE JUNCTION TRANSISTORS CONTROLLED BY LIGHT AND MAGNETIC FIELD
    (Астропринт, 2007) Vikulin, Ivan M.; Vikulina, L. F.; Kurmashev, Shamil D.; Mingaljov, V. A.; Викулин, Иван Михайлович; Викулина, Л. Ф.; Курмашев, Шаміль Джамашевич; Мингалев, В. А.; Вікулін, Іван Михайлович; Вікуліна, Л. Ф.; Мінгалев, В. А.
    Influence of magnetic field and light on current flow in silicon unijunction transistor was investigated. It is shown, magnetic field with induction B = 1T and radiation from GaAs light-emitting diode causes to the identical change of the base resistance and the current. Исследовалось влияние магнитного поля и света на протекание тока в кремниевом однопереходном транзисторе. Показано, что магнитное поле с индукцией до 1 Тл и излучение от арсенидгаллиевого светодиода приводят к одинаковому изменению сопротивления базы и тока. Вивчався вплив магнітного поля та світла на протікання струму у кремнієвому одноперехідному транзисторі. Показано, що магнітне поле з індукцією до 1Тл та випромінювання від арсенгалієвого світлодіоду приводять до однакових змін опору бази та струму.
  • Ескіз
    Документ
    Легкоплавкие висмутосодержащие стекла
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2012) Курмашев, Шамиль Джамашевич; Бугаева, Т. Н.; Лавренова, Т. И.; Марколенко, П. Ю.; Садова, Н. Н.; Софронков, А. Н.; Вакив, Н. М.; Курмашев, Шаміль Джамашевич; Бугаева, Т. М.; Лавренова, Т. І.; Садова, Н. М.; Софронков, О. Н.; Ваків, М. М.; Kurmashev, Shamil D.; Buhaeva, T. M.; Lavrenova, T. I.; Markolenko, P. Yu.; Sadova, N. M.; Sofronkov, O. N.; Vakiv M. M.
    Исследованы процессы стеклообразования, кристаллизации, изучены физико-химические свойств системы SiO2-B2O3-Bi2O3-ZnO-BaO при различных концентрациях исходных компонентов. Предложены оптимальные составы легкоплавких стекол для припоев, резистивных и проводниковых толстопленочных элементов электроники.