Перегляд за Автор "Kurmashev, S. D."

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ ПЛАНАРНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ ТЕРМОДАТЧИКОВ
    (Астрапринт, 2011) Курмашев, Ш. Д.; Викулин, И. М.; Курмашев, Ш. Д.; Вікулін, І. М.; Kurmashev, S. D.; Vikulin, I. M.
    Исследована зависимость прямого падения напряжения U и коэффициента усиления от величины потоков электронов, нейтронов и !-квантов, а также влияние эффективной концентрации типозадающей примеси в базовой области и толщины базы на радиационную стойкость планарно-эпитаксиальных транзисторных термодатчиков. Изучалось влияние отжига облученных структур на восстановление термочувствительных параметров. Показано, что деградация термочувствительных параметров под воздействием облучения начинается при дозах на 1.5…2 порядка выше, чем коэффициента усиления,Степень деградации U и зависит от конструктивно-технологических параметров транзисторов.
  • Ескіз
    Документ
    Радиационная стойкость планарных транзисторных термодатчиков
    (Одеський національний університет, 2011) Курмашев, Ш. Д.; Викулин, И. М.; Вікулін, Іван Михайлович; Kurmashev, S. D.; Vikulin, I. M.
    Исследована зависимость прямого падения напряжения U и коэффициента усиления р от величины потоков электронов, нейтронов и у-квантов, а также влияние эффективной концентрации типозадающей примеси в базовой области и толщины базы на радиационную стойкость планарно-эпитаксиальных транзисторных термодатчиков. Изучалось влияние отжига облученных структур на восстановление термочувствительных параметров. Показано, что деградация термочувствительных параметров под воздействием облучения начинается при дозах на 1.5...2 порядка выше, чем коэффициента усиления, Степень деградации U и р зависит от конструктивно-технологических параметров транзисторов