Перегляд за Автор "Gechev, P. P."

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
  • Ескіз
    Документ
    RADIATION IMMUNITY OF THE PLANAR n-p-n-TRANSISTORS
    (Астропринт, 2009) Vikulin, Ivan M.; Kurmashev, Shamil D.; Markolenko, P. YU.; Gechev, P. P.; Викулин, Иван Михайлович; Курмашев, Шамиль Джамашевич; Марколенко, П. Ю.; Гечев, П. П.; Вікулін, Іван Михайлович; Курмашев, Шаміль Джамашевич; Марколенко, П. Ю.; Гечев, П. П.
    Influence of streams of electrons, neutrons and !–quantum is investigational on the amplification factor of bipolar planar-epitaxial transistors. It is shown that a preliminary thermal-electric-train allows to increase of radiation immunity in 2–3 times. Исследовалось влияние потоков электронов, нейтронов и !-квантов на коэффициент усиления биполярных планарноэпитаксиальных транзисторов. Показано, что предварительная электротермотренировка позволяет увеличить радиационную устойчивость приборов в 2 раза. Досліджувався вплив потоків електронів, нейтронів і ! –квантів на коефіцієнт підсилення біполярних планарно-епітакс ійних транзисторів. Показано, що попереднє електротермотренування дозволяє підвищити радіаційну стійкість приладів в 2 рази.