Перегляд за Автор "Chemeresuk, Geogriy G."
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ Investigation of the causes of silicon MOS — transistor parameters catastrophic degradation(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2005) Kulinich, O.; Glauberman, Mykhailo A.; Chemeresuk, Geogriy G.; Yatsunsky, I.; Кулініч, О. А.; Глауберман, Михайло Абович; Чемересюк, Георгій Гаврилович; Яцунский, І. Р.; Кулинич, О. А.; Глауберман, Михаил Аббович; Чемересюк, Георгий Гаврилович; Яцунский, И. Р.The paper is aimed at finding out the causes of the catastrophic degradation of parameters of silicon MOS-transistors, formed by the ordinary planar technology. The basic causes of degradation have been found to be: - thermal compression contacts rupture, which can be explained by formation of intermetallic compounds in the contact area, resulting in brittleness of the contacts, - breaking of the metallic interconnections and contact pads integrity, resulting from inobservance of the photolithography technological conditions as well as from presence of a developed defect structure on the silicon surface and formation of silicide compounds.Робота присвячена виявленню причин катастрофічної деградації деградації параметрів кремнієвих МОН- транзисторів, які були сформовані за звичайною планарною технологією. Встановлено, що основними причинами деградації є:-обрив термокомпресійних контактів, який можна пояснити виникненням в районі контакту інтерметалевих з'єднань, що приводить до охрупчування контактів; - порушення цільності металевої розводки і контактних площин, виникаючих в наслідок порушення технологічних режимів фотолітографії, а також присутності розвиненої дефектної структури на поверхні кремнію і виникнення сіліцидних сполук. Работа посвящена выявлению причин катастрофической деградации параметров кремниевых транзисторов, которые были сформированы по обычной планарной технологии. Установлено, что основными причинами деградации являются: - обрыв термокомпрессионных контактов, которые можно объяснить образованием в районе контакта интерметаллических соединений, приводящих к охрупчиванию контактов; - нарушение цельности металлической разводки и контактных площадок, возникающие вследствие нарушения технологических режимов фотолитографии, а также присутствия развитой дефектной структуры на поверхности кремния и образования силицидных соединений.