Перегляд за Автор "Budiyanskaya, Ludmyla M."
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ Властивості надтонких плівок гетероструктур p(Pb1-xSnxSe) - n(Cd Se) в дальній ІЧ-області спектру(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2012) Лепіх, Ярослав Ілліч; Іванченко, Іраїда Олександрівна; Будіянська, Людмила Михайлівна; Lepikh, Yaroslav I.; Ivanchenko, Iraida A.; Budiyanskaya, Ludmyla M.; Лепих, Ярослав Ильич; Иванченко, Ираида Александровна; Будиянская, Людмила МихайловнаДосліджено механізм виникнення чутливості надтонких плівок гетероструктур p(Pb1-xSnxSe) - n (Cd Se) з в дальній інфрачервоній (ІЧ) області спектру, який полягає в інжекції неосновних носіїв заряду з вузькозонного напівпровідника, що поглинає ІЧ-випромінювання, в широкозонний напівпровідник за участю механізму обмеження струму просторовим зарядом. Показана можливість створення неохолоджуваного власного фотоприймача (ФП) в області А=10 мкм на їх основі, виходячи з того, що інверсія зон спостерігається при температурах 77, 195 і 300°К і складах сполуки 0,19; 0,25 і 0,30 відповідно. Розроблена методика отримання полікристалічних злитків вузькозонної напівпровідникової сполуки Pb1 xSnxSe зі складом, чутливим в області А=10 мкм при кімнатній температурі. Розроблена конструкція і технологія виготовлення плівкових двошарових фотогетерорезисторів на основі р-п-переходу p(Pb1 xSnxSe) - n (Cd Se) з пороговою чутливістю PN = 10-6.. .10-7 Вт/Гц1/2 та плівкового матричного неохолоджуваного фотоприймача, чутливого в області А=10,6 мкм, з пороговою чутливістю елемента не гірше 10-6 Вт/Гц1/2.