Effect of deep centers on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p-n junctions

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.contributor.authorPtashchenko, Fedir O.
dc.contributor.authorGilmutdinova, Valeriia R.
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.contributor.authorПтащенко, Федір Олександрович
dc.contributor.authorГільмутдінова, Валерія Рафаїлівна
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.contributor.authorПтащенко, Федор Александрович
dc.contributor.authorГильмутдинова, Валерия Рафаэловна
dc.date.accessioned2015-02-06T11:53:22Z
dc.date.available2015-02-06T11:53:22Z
dc.date.issued2014
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2014. - англ.uk
dc.description.abstractThe time-dependence of the surface current in GaAs p-n structures after placing in concentrated wet ammonia vapors was studied. It is sown that the slope of measured current-time curves is non- monotonous. This effect is explained with taking into account presence of deep surface levels, which are filled, when the quasi-Fermi level is moving to the conduction band. An analysis of time-resolved measurements of surface current in GaAs p-n structures in wet ammonia vapors enabled to estimate depths of some surface levels. The depths of the main revealed surface levels are 0,206 eV, 0,185 eV, and 0,176 eV from с-band. In the interval of depths 0,176 eV - 0,185 eV surface levels are continuously distributed with practically constant density.uk
dc.description.abstractДосліджено кінетику поверхневого струму в p-n структурах на основі GaAs після їх поміщення у концентровані вологі пари аміаку. Показано, що нахил виміряних часових залежностей струму є немонотонний. Дане явище пояснено за врахуванням наявності глибоких поверхневих рівнів, які заповнюються, коли квазі-рівень Фермі рухається в сторону зони провідності. Аналіз кінетики поверхневого струму в p-n структурах на основі GaAs у вологих парах аміаку дав можливість оцінити глибини деяких поверхневих рівнів. Глибини основних виявлених поверхневих рівнів складають 0,206 eB, 0,185 eB і 0,176 еВ від с-зони. В інтервалі глибин 0,185 eB - 0,176 еВ виявлено додаткові поверхневі рівні, розподілені неперервно з практично постійною щільністю.uk
dc.description.abstractИсследована кинетика поверхностного тока в р-n структурах на основе GaAs после их помещения в концентрированные влажные пары аммиака. Показано, что наклон измеренных временных зависимостей тока немонотонный. Данное явление объяснено с учетом наличия глубоких поверхностных уровней, которые заполняются, когда квази-уровень Ферми движется в сторону зоны проводимости. Анализ кинетики поверхностного тока в р-n структурах на основе GaAs во влажных парах аммиака позволил оценить глубины некоторых поверхностных уровней. Глубины основных обнаруженных поверхностных уровней составдяют 0,206 эВ, 0,185 эВ и 0,176 эВ от с-зоны. В интервале глубин 0,185 эВ - 0,176 эВ обнаружены дополнительные поверхностные уровни, распределенные непрерывно с практически постоянной плотностью.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/5761
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдесский национальный университет имени И. И. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;№ 23, р. 107-111.
dc.subjectsurface currentuk
dc.subjectp-n structureuk
dc.subjectdeep centersuk
dc.subjectглибокі цунтриuk
dc.subjectp-n переходиuk
dc.subjectповерхневы центриuk
dc.subjectглубокие центрыuk
dc.subjectр-n гетеропереходuk
dc.subjectповерхностные центрыuk
dc.titleEffect of deep centers on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p-n junctionsuk
dc.title.alternativeВплив глибоких центрів на кінетику поверхневого струм індукованого адсорбцією молекуг аміаку в p-n переходах на основі GaAsuk
dc.title.alternativeВлияние глубоких центров на кинетику поверхностного тока, индуцированного адсорбцией молекул аммиака в p-n переходах на основе GaAsuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
107-111+.pdf
Розмір:
192.85 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics