Методи стабілізації характеристик датчиків на основі магніточутливих транзисторних структур

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГлауберман, Михайло Абович
dc.contributor.authorГлауберман, Михаил Аббович
dc.contributor.authorGlauberman, Mykhailo A.
dc.contributor.authorЛепіх, Ярослав Ілліч
dc.contributor.authorЛепих, Ярослав Ильич
dc.contributor.authorLepikh, Yaroslav I.
dc.contributor.authorБалабан, Андрій Петрович
dc.contributor.authorБалабан, Андрей Петрович
dc.contributor.authorBalaban, Andrii P.
dc.contributor.authorСнігур, Павло Олексійович
dc.contributor.authorСнегур, П. А.
dc.contributor.authorSnigur, Pavlo O.
dc.date.accessioned2021-01-04T11:33:30Z
dc.date.available2021-01-04T11:33:30Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractТемпературна нестабільність основних характеристик напівпровідникових датчиків є перешкодою їх підвищення, зокрема, роздільної здатності. В роботі розглянуті методи усунення цієї нестабільності датчиків на основі магніточутливих транзисторних структур при впливі на них температури. Методика зниження температурної нестабільності реалізується за допомогою включення в схему елементів, параметри яких залежать від температури та метод послаблення (компенсування) цього паразитного ефекту для двоколекторної магніточутливої транзисторної (ДМТ) структури завдяки спеціальному вибору зворотних зв'язків у схемі обробки сигналу.uk_UA
dc.description.abstractTemperature instability of the semiconductor gauge main characteristics is the obstacle to increase, in particular, their resolution. The paper considers methods for eliminating this instability in the gauges based on the magnetosensitive transistor structures. A technique for reducing temperature instability is realized by including into the circuit elements which parameters depend on temperature and weakening (compensating) this parasitic effect for two-collector magnetosensitive transistor (DMT) structure due to a special choice of feedback in the signal processing circuit.
dc.description.abstractТемпературная нестабильность основных характеристик полупроводниковых датчиков является препятствием их повышения, в частности, разрешающей способности. В работе рассмотрены возможности устранения этой нестабильности датчиков на основе магниточувствительных транзисторных структур при действии на них температуры. Методика снижения температурной нестабильности реализуется посредством включения в схему элементов, параметры которых зависят от температуры и ослабление (компенсации) этого паразитного эффекта для двухколлекторной магниточувствительной транзисторной (ДМТ) структуры благодаря специальному выбору обратных связей в схеме обработки сигнала.
dc.identifierУДК 621.382
dc.identifierDOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2020.4.219308
dc.identifier.citationСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologiesuk_UA
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/30014
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk_UA
dc.relation.ispartofseries;Т. 17, № 4.
dc.subjectмагніточутливі транзисторні структуриuk_UA
dc.subjectтемпературна нестабільністьuk_UA
dc.subjectстабілізація параметрівuk_UA
dc.subjectmagnetosensitive transistor structureuk_UA
dc.subjecttemperature instabilityuk_UA
dc.subjectparameter stabilizationuk_UA
dc.subjectмагниточувствительные транзисторные структурыuk_UA
dc.subjectтемпературная нестабильностьuk_UA
dc.subjectстабилизация параметровuk_UA
dc.titleМетоди стабілізації характеристик датчиків на основі магніточутливих транзисторних структурuk_UA
dc.title.alternativeMethods of the gauges based on the magnetosensitive transistor structure characteritic stabilizationuk_UA
dc.title.alternativeМетоды стабилизации характеристик датчиков на основе магниточувствительных транзисторных структурuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
23-28.pdf
Розмір:
427.81 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології