Терлецкая, Л. Л.Копыт, Николай ХарламовичЧернова, Е. А.Голубцов, Вячеслав ВасильевичТерлецька, Л. Л.Копит, М. Х.Чернова, О. О.Голубцов, В. В.2010-09-202010-09-202006Физика аэродисперсних системhttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/441Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова, кафедра теплофизики. - Одесса, 1969. –Изучено и описано движение неоднородностей в виде высокодисперсных включений галлия в монокристаллах арсенида галлия под действием электрических полей. Проведен анализ скоростей электротермомиграции дефектов в кристаллах для случаев проводящих и диэлектрических неоднородностей. Показана возможность управления динамическими процессами в гетерогенных системах с проводящими неоднородностями в электрических полях с оптимальными характеристиками. Вивчено та описано рух неоднорідностей у вигляді високодисперсних включень галію в монокристалах арсеніда галію за умов діїелектричних полів. Проведено аналіз швидкостей електротермоміграції дефектів у кристалах для випадків провідних та діелектричних неоднорідностей. Показано можливість керування динамічними процесами в гетерогенних системах з провідними неоднорідностями в електричних полях з визначеними оптимальними характеристиками. The electric-field induced drift of inhomogeneities formed by highly dispersed inclusions of Ga in GaAs single crystals is studied and described. Rates of electrotermomigration of defects in crystals have been analysed for cases of conductive and dielectric inhomogeneities. The possibility of controlling the dynamical processes in heterogenerous systems with conductive and dielectric inhomogeneities in electric fields with optimal characteristics is shown.Article