Балабан, А. П.Борщак, Виталий АнатольевичЗатовська, Наталія ПетрівнаКуталова, Марія ІванівнаBorshchak, Vitalii A.Борщак, Віталій АнатолійовичКуталова, Мария ИвановнаKutalova, Mariia I.2013-12-172013-12-1720083-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/40923-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.Одним з перспективних застосувань неідеальних гетеропереходів, наприклад, гетероструктури CdS-Cu2S є створення на їх основі ефективних сенсорів оптичного і рентгенівського зображень. У зв'язку з тим, що практично всі процеси у такому гетеропереході, що визначають можливість його практичного застосування, так чи інакше визначаються величиною або формою потенційного бар'єра на гетерограниці, доцільно досліджувати процеси нагромадження і викиду нерівноважного заряду при впливі зовнішнього зсуву, прикладеного до гетеропереходу.ukсенсор зображеннягетеропереходArticle