Смынтына, Валентин Андреевич2012-10-152012-10-151987Физика и техника полупроводниковhttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2608Физика и техника полупроводников / , РАН . – М. : Наука, 1967 . – На рус. яз.Термически стимулированная хемосорбция О2 и образование О- являются причиной насыщения вольтамперной характеристики темпового тока и фототока,отрицательного дифференциального сопротивления,отрицательного температурного коэффициента сопротивления.При этом в межэлектродном промежутке образуется новый тип электрической неоднородности — хемосорбционно-электрический домен.В зависимости от свойств поверхности полупроводника и конкретного механизма хемосорбционного процесса он может приводить как к повышению,так и к понижению фоточувствительности полупроводника.ruArticle