Борщак, Віталій АнатолійовичСминтина, Валентин АндрійовичБритавський, Євген ВікторовичЗубрицький, Сергій ВсеволодовичЗатовська, Наталія ПетрівнаКуталова, Марія ІванівнаBorshchak, Vitalii A.Борщак, Виталий АнатольевичКуталова, Мария ИвановнаKutalova, Mariia I.2019-03-272019-03-2720146-та Міжнародна наукова-технічна конференція "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології"(СЕМСТ-6) (з виставкою розробок та промислових зразків сенсорів), Україна, Одеса, 29 вересня - 3 жовтня 2014 р. : тези доповідей : Конф. присвяч.150-й річниці Одеського нац. ун-ту ім. І.І. Мечникова і 100-річчю науки про напівпровідники / гол. ред.: В. А. Сминтина; редкол.: О. Є. Бєляєв [та ін.]; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова, Одеський нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. – Одеса : Астропринт, 2014. – 265 с.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/23363В бар’єрній області неідеального гетеропереходу CdS-Cu2S при фотозбудженні реалізується механізм зміни форми потенціалу бар'єру за рахунок накопичення нерівноважного позитивного заряду на пасткових центрах, що призводить до зміни провідності гетероструктури. Цей ефект використаний для створення оптичного сенсору на основі зазначеної сполуки. Саме глибокі діркові центри захвату в ОПЗ CdS грають вирішальну роль у фотоелектричних властивостях гетеропереходу. Тому дослідження саме цих центрів становить особливий інтерес.ukенергетичний розподілглибокий центргетеропараоптично-індукований зарядArticle