Смынтына, Валентин АндреевичКуталова, Мария ИвановнаЗатовская, Наталия ПетровнаБорщак, Виталий АнатольевичКаракис, Юрий НиколаевичBorshchak, Vitalii A.Борщак, Віталій АнатолійовичКуталова, Марія ІванівнаKutalova, Mariia I.Каракіс, Юрій МиколайовичKarakis, Yurii M.2018-05-312018-05-312000Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16358Разработана модель, позволяющая с единых позиций объяснить явления, связанные с токопереносом в области пространственного заряда гетероперехода CdS—Cu2S, причем установлено, что существенную роль в таком токопереносе играет туннельно-прыжковая проводимость по состояниям в запрещенной зоне CdS с последующей рекомбинацией носителей на состояниях границы раздела. На базе неидеальной тонкопленочной гетероструктуры создан сенсор изображения с внутренним усилением, эффективно работающий в оптическом и рентгеновском диапазонах.ruпроводимостьрентгеновский диапазонтокопереносбарьерные структурырентгеновский сенсорArticle