Simanovych, Nadiia S.Brytavskyi, Yevhen V.Kutalova, Mariia I.Borshchak, Vitalii A.Karakis, Yurii M.Сіманович, Надія СтаніславівнаБритавський, Євген ВікторовичКуталова, Марія ІванівнаБорщак, Віталій АнатолійовичКаракіс, Юрій МиколайовичСиманович, Надежда СтаниславовнаБритавский, Евгений ВикторовичКуталова, Мария ИвановнаБорщак, Виталий АнатольевичКаракис, Юрий Николаевич2018-01-302018-01-302017Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/12639The photovoltaic properties of CdS crystals with combined alloying have been investigated. An analytical expression for the dependence of the coefficient of damping of the intensities of exciting and quenching light has been received. For the first time the concentration of fast recombination centers has been estimated. The charge state of S - and R- centersis expected. The exclusive method of decision of the system of equalizations is thus created. Modulation of LAC is shown by IR light.Досліджені фотоелектричні властивості кристалів CdS з комбінованим легуванням. Отримано аналітичний вираз для залежності коєфіціента гасіння от інтенсивностей збуджующего і гасящего світла. Вперше оцінена концентрація центрів швидкої рекомбінації. Розрахован зарядовий стан S- і R-центрів. При цьому створено ексклюзивний метод вирішення системи рівнянь. Продемонстрована модуляція ЛАХ інфрачервоним світлом.Исследованы фотоэлектрические свойства кристаллов CdS с комбинированным легированием. Получено аналитическое выражение для зависимости коэффициента гашения от интенсивностей возбуждающего и гасящего света. Впервые оценена концентрация центров быстрой рекомбинации. Рассчитано зарядовое состояние S- и R-центров. При этом создан эксклюзивный метод решения системы уравнений. Продемонстрирована модуляция ЛАХ инфракрасным светом.encoefficient of dampingCdSIR lightкоєфіціент гасіннякоєфіціент гасінняінфрачервоне світлокоэффициент гашениясульфид кадмияинфракрасный светArticle